【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种利用肖特基二极管的反向1-V特性曲线提取肖特基势垒高度的方法。
技术介绍
肖特基二极管(Schottkydiode)是一种应用广泛的半导体器件，常用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。势鱼高度(barrierheight)是肖特基二极管的重要电学参数。目前常用的几种势垒高度的提取方法包括1-V特性测量、电容方法测量和光电方法测量。鉴于1-V特性测量对二极管的要求低，且方法简单，因而应用最为普遍。附图说明图1是金属与η型半导体接触形成的肖特基二极管的1-V特性曲线示意图。理想情况下，当V>3kT/q时，基于热发射理论的1-V特性曲线可简单地表述为I=10eqV/nkT (I)其中，10 =是肖特基二极管的反向饱和电流，A是面积，A*是理查德森常数，T是温度，％是势垒高度，η是理想因子。将InI对V作图应是一条直线，对应于图1中的线段1，外推交纵轴的截距等于InItl，即可求得零偏压下的肖特基势垒高度％ ^然而，由于寄生电阻的影响，随着外加电压V的进一步增加，寄生电阻将承担一部分压降，此时的1-V特性曲线可表述为Ι=Ιοθ<ι(ν- Ε)/ηΗ(2)InI对V不再呈现线性关系，对应于图1中的曲线2。尤其当肖特基二极管的势垒高度比较低、寄生电阻比较大的情况下，寄生效应的影响越专利技术显，在外加电压较低的情况下便会进入到曲线2的情况，即线段I的区间很小，甚至导致无法精确提取出势垒高度。另一方面，一般情况下，肖特基二极管的反向击穿电压能...
【技术保护点】
一种肖特基二极管势垒高度的提取方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）测量肖特基二极管的反向I?V特性曲线；（2）以(?V)1/4为横坐标，以ln|I|为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C；（3）得到零偏压下肖特基二极管的势垒高度为其中，是零偏压肖特基二极管势垒高度，单位为eV（电子伏特）；k是波尔兹曼常数，取1.38×10?23J/K（焦耳/开)；T是样品测试时的绝对温度，单位为K（开）；q是电子电荷，取1.6×10?19C（库仑）；A是肖特基二极管的面积，单位为μm2（平方微米）；A*是理查德森常数，n型硅衬底，取理查德森常数A*=112A/cm2K2（安培/平方厘米*平方开），p型硅衬底，取A*=32A/cm2K2（安培/平方厘米*平方开）。FDA00002800645500011.jpg,FDA00002800645500012.jpg
【技术特征摘要】
2012.09.19 CN 201210349846.71.一种肖特基二极管势垒高度的提取方法，其特征在于，包括如下步骤: (1)测量肖特基二极管的反向1-V特性曲线； (2)以(_V)1/4为横坐标，以InlIl为纵坐标，在一段负偏压区间内外推曲线与纵轴相交，截距为C ; (3)得到零偏压下肖特基二极管的势垒高度为涔 其中，卿是零偏压肖特基二极...
【专利技术属性】
技术研发人员：范春晖，王全，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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