【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路光电,尤其涉及一种行波电极结构、含有行波电极结构的光调制器以及行波电极结构的实现方法。
技术介绍
1、光调制器的电极结构通常分为集总电极和行波电极两种。其中,集总电极适用于尺寸较小的器件;而对于常用的基于载流子耗尽型的马赫曾德尔调制器,由于其尺寸通常可达到毫米量级,在高频信号驱动下,必须作为分布式器件处理,故其驱动电极需要选择行波电极结构。
2、在设计光调制器的行波电极时,通常需要满足三个方面条件:第一是行波电极上具有最小的微波损耗;第二是折射率匹配,即行波电极的电信号与光信号传输速率相近;第三是阻抗匹配,即行波电极的特征阻抗需要与微波系统中标准端口阻抗兼容,减少反射损耗。因此,设计行波电极需具有较大的设计自由度和匹配范围,来调控行波电极的传输特性。
3、然而,对于目前应用比较广泛的gsg(地-信号-地)型共面波导或者gs(地-信号)型共面波导型行波电极结构而言,如图1-图2所示,只能通过变化信号线(信号电极)与地线(屏蔽电极)的电极宽度和电极之间的距离,来改变电极的传输特性,往往难以
...【技术保护点】
1.一种行波电极结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极并联设于所述信号电极的单侧或两侧。
3.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极与所述信号电极平行设置。
4.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述信号电极、所述辅助电极与所述屏蔽电极共面设置。
5.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极形状包括直线型或具有周期性结构单元的组合线型。
6.根据权利要求5所述的行波电极结构,其特征在于,所述周期性结构单元包括折
...【技术特征摘要】
1.一种行波电极结构,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极并联设于所述信号电极的单侧或两侧。
3.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极与所述信号电极平行设置。
4.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述信号电极、所述辅助电极与所述屏蔽电极共面设置。
5.根据权利要求1所述的行波电极结构,其特征在于,所述辅助电极形状包括直线型或具...
【专利技术属性】
技术研发人员:季祥海,刘林林,郭奥,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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