【技术实现步骤摘要】
本申请涉及图像传感器,尤其涉及一种像元电路、电子数量的确定方法和图像传感器。
技术介绍
1、互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,cmos)图像传感器是一种典型的固体成像传感器。cmos图像传感器通常由像元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、模数转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成,这几部分通常都被集成在同一块硅片上,其工作过程一般可分为复位、光电转换、积分、读出几部分。
2、现有技术中,在成像时主要采用全局cmos图像传感器,其原理是整幅图像所有像元同时曝光。
3、但是,全局cmos图像传感器需要增加大面积的像素级存储器来存储像元中光电传感器产生的电子,大面积的像素级存储器的使用会导致图像成像效果差。
技术实现思路
1、本申请提供一种像元电路、电子数量的确定方法和图像传感器,用于解决现有全局cmos使用大面积像素级存储器,存在寄生电容产生噪声干扰,造成图像失真的问题。
2、第
...【技术保护点】
1.一种像元电路,其特征在于,包括:电子感应组件、光电传感器组件和电压源组件,所述光电传感器组件和所述电压源组件通过公共连接点与所述电子感应组件连接;
2.根据权利要求1所述的像元电路,其特征在于,所述电子感应组件包括阻变存储器,所述阻变存储器的一端用于连接第一电压源,所述阻变存储器的另一端与所述光电传感器组件连接;
3.根据权利要求2所述的像元电路,其特征在于,所述光电传感器组件包括有第一开关管和光电传感器,所述光电传感器的一端接地,所述光电传感器的另一端与所述第一开关管连接,所述第一开关管连接所述公共连接点;
4.根据权利要求2
...【技术特征摘要】
1.一种像元电路,其特征在于,包括:电子感应组件、光电传感器组件和电压源组件,所述光电传感器组件和所述电压源组件通过公共连接点与所述电子感应组件连接;
2.根据权利要求1所述的像元电路,其特征在于,所述电子感应组件包括阻变存储器,所述阻变存储器的一端用于连接第一电压源,所述阻变存储器的另一端与所述光电传感器组件连接;
3.根据权利要求2所述的像元电路,其特征在于,所述光电传感器组件包括有第一开关管和光电传感器,所述光电传感器的一端接地,所述光电传感器的另一端与所述第一开关管连接,所述第一开关管连接所述公共连接点;
4.根据权利要求2或3所述的像元电路,其特征在于,所述电压源组件输出的电压高于所述第一电压源输出的第一电压。
5.根据权利要求3所述的像元电路,其特征在于,所述第一开关管用于在所述光电传感器曝光前开启,控制所述电子感应组件与所述光电传感器之间导通以使所述光电传感器内的电子流向所述电子感应组件。
【专利技术属性】
技术研发人员:周阳,左青云,卢意飞,
申请(专利权)人:上海集成电路研发中心有限公司,
类型:发明
国别省市:
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