一种TSV阻挡层抛光液制造技术

本发明专利技术揭示了一种适用于硅通孔(TSV)阻挡层的化学机械抛光液，至少含有一种磨料，一种复合金属铜腐蚀抑制剂，一种络合剂，一种氮化硅调节剂，该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对阻挡层进行高效的平坦化，并停止在氮化硅层，形成硅通孔，同时不产生金属腐蚀，具有较高的缺陷校正能力和较低的表面污染物指标。

【技术实现步骤摘要】
一种TSV阻挡层抛光液
本专利技术涉及一种抛光液，尤其涉及一种用于抛光TSV阻挡层的化学机械抛光液。
技术介绍
参见图5-7，为了提高IC的性能、进一步缩小尺寸、降低功耗和成本，小尺寸3DTSV(TSV，Through-Silicon-Via硅通孔)封装技术也由此应运而生。3DTSV是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的最新技术。与以往IC封装键合和使用凸点的叠加技术不同，TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，大大改善芯片速度和低功耗的性能。其主要优势表现为：具有最小的尺寸和重量，将不同种类的技术集成到单个封装中，用短的垂直互连代替长的2D互连，降低寄生效应和功耗等。TSV制程的集成方式非常多，但都面临一个共同的难题，即TSV制作都需要打通不同材料层，包括硅材料、IC中各种绝缘或导电的薄膜层。例如金属铜，阻挡层金属钽，二氧化硅绝缘层以及氮化硅停止层等，各种膜层的厚度也比较高，这就需要在CMP过程中具有较高的去除速率和合适的抛光选择比，才能实现对前程缺陷的最大矫正，并停止在氮化硅层，同时不能产生金属的腐蚀和缺陷，表面颗粒物控制在工艺要求本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TSV阻挡层抛光液，其特征在于，包含以下组分：磨料、组合金属保护剂、络合剂、氧化剂、氮化硅抑制剂和pH调节剂。

【技术特征摘要】
1.一种TSV阻挡层抛光液在抑制氮化硅抛光速率中的应用，其特征在于，所述TSV阻挡层抛光液包含以下组分：磨料、组合金属保护剂、络合剂、氧化剂、氮化硅抑制剂和pH调节剂，其中，所述氮化硅抑制剂为一种萘磺酸盐的甲醛缩合物，具有以下通式：其中：为亚甲基双萘磺酸二钠盐，甲基萘磺酸甲醛缩合物和/或苄基萘磺酸甲醛缩合物，所述磨料是二氧化硅溶胶或气相法二氧化硅，所述磨料的粒径为20-200nm，所述磨料含量为10-50％，所述组合金属保护剂包括苯并三氮唑及其衍生物及聚丙烯酸及其共聚物，所述苯并三氮唑及其衍生物的浓度为0.01-0.5％；所述聚丙烯酸及其共聚物的浓度为0.005-0.1％，所述络合剂的浓度为0.1-0.5％，所述氮化硅抑制剂的浓度从50ppm到0.1％，所述抛光液的pH值为2-5。2.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述磨料的粒径为40-120nm。3.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述磨料含量为20-30％。4.如权利要求1所述的应用，其特征在于，所述苯并三氮唑及其衍生...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋伟红，姚颖，孙展龙，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：