【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】本专利技术涉及一种新型含水抛光组合物，其尤其适于抛光包含氧化硅电介质和多晶硅膜且任选包含氮化硅膜的半导体衬底。此外，本专利技术涉及一种抛光用于制造电子、机械和光学器件的衬底的新型方法，所述衬底材料包含氧化硅和多晶硅膜，且任选包含氮化硅膜。引用文献本申请所引文献通过引用全文引入。
技术介绍
化学机械平坦化或抛光(CMP)是获得集成电路(IC)器件局部和全局平坦度的主要方法。该技术通常采用含有磨料和其他添加剂的CMP组合物或淤浆作为在施加负载下处于旋转衬底表面与抛光垫之间的活性化学品。因此，CMP方法兼具物理过程如摩擦以及化学过程如氧化或螯合。不希望衬底材料由纯物理作用或纯化学作用而移除或抛光，而是希望二者的协同增效组合以获得快速均匀的移除。以此方式移除衬底材料直至获得所需的平坦度或者直至阻挡子层或停止层暴露。最终，获得平坦的无缺陷表面，其能通过后续的光刻、图案化、蚀刻和薄膜加工而进行合适的多层IC器件制造。 浅槽隔离(STI)为特定的CMP应用，其通常需要在图案化晶片衬底上相对于氮化硅选择性移除二氧化硅。在这种情况下，用电介质材料如二氧化硅过量填充经蚀刻的沟槽，使用氮化硅...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.08 US 61/380,7191.一种含水抛光组合物，所述含水抛光组合物包含: (A)至少一种磨料颗粒，当其分散于不含组分(C)且pH值为3-9的含水介质中时带正电荷，如电泳迁移率所证实的那样； (B)至少一种选自线性和支化氧化烯均聚物和共聚物的水溶性聚合物；和 (C)至少一种阴离子磷酸盐分散剂。2.根据权利要求1的含水抛光组合物，其特征在于磨料颗粒(A)包含氧化铈或由氧化铈构成。3.根据权利要求1或2的含水抛光组合物，其特征在于其包含0.005-10重量％的磨料颗粒(A)，基于所述抛光组合物的总重量。4.根据权利要求1-3中任一项的含水抛光组合物，其特征在于线性和支化氧化烯均聚物和共聚物(B)选自氧化乙烯和氧化丙烯的均聚物及共聚物。5.根据权利要求4的含水抛光组合物，其特征在于其包含聚乙二醇PEG作为氧化乙烯均聚物⑶。6.根据权利要求1-5中任一项的含水抛光组合物，其特征在于阴离子磷酸盐分散剂(C)选自水溶性缩合磷酸盐。7.根据权利要求6的含水抛光组合物，其特征在于水溶性缩合磷酸盐(C)选自如下 组: 通式I的偏磷酸盐:[rn (Po3) η] ( ) 以及通式II和III的聚磷酸盐:M+nPn03n+i (II)M+H2PnOari (III) 其中M为铵、钠和钾且指数η为2-10，000。8.根据权利要求1-7中任一项的含水抛光组合物，其特征在于其包含至少一种不同于组分㈧、⑶和(C)的pH调节剂或缓冲剂(E)。9.根据权利要求1-8中任一项的含水抛光组合物，其特征在于其包含至少一种不同于组分㈧、⑶和(C)的功能组分⑶。10.根据权利要求9的含水抛光组合物，其特征在于功能组分⑶选自如下组:不同于颗粒(A)的有机、无机和有机-无机混杂磨料颗粒、具有最低临界溶解温度LCS...
【专利技术属性】
技术研发人员：Y·李，JJ·初，S·S·文卡塔拉曼，W·L·W·基乌，H·W·平德尔，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：
国别省市：
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