一种化学机械抛光用纳米抛光液制造技术

本发明专利技术涉及一种化学机械抛光用纳米抛光液。该纳米抛光液包括含氟硼酸盐、纳米研磨料、表面活性剂、无机酸和溶剂去离子水。该纳米抛光液具有稳定性好、易清洗、损伤小、不腐蚀设备等优点。本抛光液适用于半导体领域铪基材料的化学机械抛光。利用上述抛光液对氧化铪进行抛光，抛光速率可控制在100~200nm/min，并且抛光后表面粗糙度可降到1nm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子辅助材料及加工工艺技术，特别是一种化学机械抛光用纳米抛光液。
技术介绍
电路密度的增加成为当今微电子工业的一个主要需求，这就意味着在相同大小的芯片上需要安放更多的电子元件，器件尺寸的减小是大势所趋。MOS晶体管特征尺寸的减小要求栅介质层厚度的减小，而作为传统的栅介质层材料的SiO2,当其尺寸减小到1.4nm及以下时，过高的漏电流及不稳定的界面特性对器件性能的影响已不可忽略，因此，选择一种新型高k材料代替传统的SiO2栅层，以提高其相应的物理厚度，减小由栅极过薄导致的隧道效应等一系列问题成为时代的要求。而铪基材料正是这样一种具有潜力的高k材料。另一方面，作为新型非挥发性存储器一阻变存储器的功能层材料(尤以HfOx为主)，铪基氧化物同样越来越被重视。因此，国内外对于在实际应用中铪基材料的结构刻蚀的研究越来越多，如:1)W02012052858利用含F的气体与金属氧化物薄膜(HfO2)反应，再利用有机蒸汽(叔丁醇或乙酰丙酮化物)与前者反应的产物薄膜反应，形成可挥发性的金属物，完成对氧化物薄膜的刻蚀。2) US8283258B2没有用传统的HF对铝铪氧化物进行刻蚀，而是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光用纳米抛光液，其特征在于：由氟硼酸盐、纳米磨料、表面活性剂、无机酸和溶剂去离子水组成，各组分的质量百分比为：氟硼酸盐0.1?2wt%、纳米磨料5?30wt%、表面活性剂0.01?2.0wt%、无机酸为调节抛光液pH值至3?7、溶剂去离子水为余量。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光用纳米抛光液，其特征在于:由氟硼酸盐、纳米磨料、表面活性齐U、无机酸和溶剂去离子水组成，各组分的质量百分比为:氟硼酸盐0.l-2wt%、纳米磨料5-30wt%、表面活性剂0.01-2.0wt%、无机酸为调节抛光液pH值至3-7、溶剂去离子水为余量。2.根据权利要求1所述化学机械抛光用纳米抛光液，其特征在于:所述氟硼酸盐为氟硼酸钾、氟硼酸钠或氟硼酸铵。3.根据权利要求1所述化学机械抛光用纳米抛光液，其特征在于:所述纳米磨料为二氧化铈(Ce02)、二氧化硅(Si02)、氧化铬(Cr2O3)和氮化硼(BN)中的一种或两种任意比例的混合物，其平均粒径小于lOOnm。4.根据权利要求1所述化学机械抛光用纳米抛光液，其特征在于:所述表面活性剂为聚乙二醇-400、脂肪醇聚环氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张楷亮，冯玉林，王芳，任君，孙阔，
申请(专利权)人：天津理工大学，
类型：发明
国别省市：