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本发明揭示了一种适用于硅通孔(TSV)阻挡层的化学机械抛光液，至少含有一种磨料，一种复合金属铜腐蚀抑制剂，一种络合剂，一种氮化硅调节剂，该抛光液具有较高的二氧化硅去除速率，和较低的氮化硅去除速率，能够对阻挡层进行高效的平坦化，并停止在氮化硅...
该专利属于安集微电子（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安集微电子（上海）有限公司授权不得商用。

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