【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管封装结构及发光装置。
技术介绍
相比于传统的发光源，发光二极管(Light Emitting Diode, LED)具有重量轻、体积小、污染低、寿命长等优点，其作为一种新型的发光源，已经被越来越广泛地应用。现有的发光二极管封装结构一般包括基板、形成于基板上的电极以及装设于基板上并与电极电性连接的发光二极管芯片。通常一颗发光二极管芯片的出光角度的范围在120°左右，因此为了达到扩大发光装置出光角度的效果，通常采用多个发光二极管芯片呈一定角度设置，使各个发光二极管芯片向不同角度出射光线，形成较大的照明范围。然而这种发光装置势必需要装设至少两个呈角度设置的发光二极管芯片，不但限制了灯具的结构和发光二极管芯片的装设位置，而且采用多个发光二极管芯片才能够实现所期望达到的效果，使得整个发光装置结构复杂，成本较高。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种出光范围更大、且结构简单的发光二极管封装结构及具有该发光二极管封装结构的发光装置。一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片...
【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，其特征在于：所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装结构，包括至少两间隔的电极、与电极电性连接的发光二极管芯片以及填充于两电极之间并覆盖发光二极管芯片的封装体，所述电极包括第一电极和第二电极，其特征在于:所述发光二极管芯片的出光面面对的封装体外表面上形成有反射层，所述发光二极管芯片的出光面背对的封装体的另一外表面为出光面，所述第一电极和第二电极环绕所述发光二极管芯片及封装体设置，且第一和第二电极均包括朝向发光二极管芯片的内壁，各内壁包括位于反射层和出光面之间的第一斜面，该第一斜面自出光面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸，发光二极管芯片发出的光线射向反射层并经反射层、第一斜面反射后从出光面射出。2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述内壁还包括第二斜面，该第二斜面自反射面向靠近发光二极管芯片的方向倾斜延伸。3.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述第一斜面、第二斜面与第一表面之间的夹角角度为50度至80度。4.如权利要求2所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括一平台部，该平台位于第一斜面和第二斜面之间并连接第一、第二斜面，发光二极管芯片打线连接于该平台部。5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构，其特征在于:还包括一被第一电极和第二电极环绕的承载部，所述发光二极管芯片固定于承载部上。6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构，其特征在于:所述承载部还包括顶面、底面和连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：张超雄，林厚德，
申请(专利权)人：展晶科技深圳有限公司，荣创能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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