一种全背面接触晶硅电池制造技术

本实用新型专利技术涉及一种光伏技术领域的新型晶硅电池，具体地讲是涉及一种结合离子注入技术的全背面接触晶硅电池。全背面接触晶硅电池包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线等，全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面内，能兼顾电子和空穴以很短的路径移动到发射极和基极，减少载流子电池内体复合；通过将发射极和金属栅线从正面即受光面移到背面，减少了光学损失；发射极通过离子注入的方法获得，较热扩散掺杂的方法工艺步骤少；正面和背面均有钝化层，正面还有正表面电场FSF，能减少载流子表面的复合，最终提供一种量产效率高、工艺简单的太阳能电池。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种光伏
的新型晶硅电池，具体地讲是涉及一种结合离子注入技术的全背面接触晶硅电池。
技术介绍
光伏技术是利用pn结二极管将太阳能转化为电能的技术，这个pn结二极管就是通常我们所说的太阳能电池。当太阳能电池受到太阳辐射时，光子在太阳能电池中产生电子空穴对，pn结将电子空穴对分离，通过外部电路连接可以形成电流，从而向外输出功率。太阳能电池可以分为晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能电池，传统的晶硅电池发射极接触电极和基极接触电极分别制作在电池片的正面和背面，其中接触发射极的金属栅线电极是制作在接受阳光照射的正面，因此电池的部分表面被金属覆盖，这部分遮光面积不能参与吸收入射的太阳光，造成一部分光学损失。影响太阳能电池效率的主要因素除了光学损失还有电学损失。电学损失主要包括太阳能电池表面及体内的光生载流子复合，太阳能电池表面和金属栅线的接触电阻损失。所以在背面接触晶硅电池的表面需要有钝化层，以及金属栅线之间接触面积需要尽量减少以降低硅片表面的光生载流子复合。而减少体内光生载流子复合通过提高硅片的体少数载流子(bulkminority carrier)寿命，以及减少发射极之间的节距(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全背面接触晶硅电池，包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线，其特征在于，所述全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面上。

【技术特征摘要】
1.一种全背面接触晶硅电池，包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线，其特征在于，所述全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面上。2.根据权利要求1所述的全背面接触晶硅电池，其特征在于所述全背面接触晶硅电池的正面和背面均有钝化层。3.根据权利要求2所述的全背面接触晶硅电池，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭东阳，张庆钊，丁建，
申请(专利权)人：汉能科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：