【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种蒸发源装置，尤其涉及一种铜铟镓硒薄膜电池工艺中的线性蒸发源装置。
技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳能电池具有高的光电转换效率，以及较低的制作成本，而且性能稳定，不会发生光诱导衰变，价格也低于传统的晶体硅电池，因而成为各国太阳能电池材料的研究热点之一。铜铟镓硒薄膜太阳能电池主要由玻璃衬底、钥背电极、铜铟镓硒吸收层、缓冲层、窗口层、减反射层和铝电极组成，其中铜铟镓硒吸收层是太阳能电池中的核心材料，制备高效铜铟镓硒电池的关键技术之一是要获得高质量的吸收层。铜铟镓硒薄膜的制备方法多种多样，主要的制备方法大致可以归结为真空制备技术和非真空制备技术两大类。真空制备技术主要有多源共蒸发技术、溅射技术、分子束外延技术、化学气相沉积技术等；而非真空制备技术包括电沉积、旋涂法和丝网印刷等方法。虽然铜铟镓硒薄膜的制备方法多种多样，但仅有多源共蒸发法和溅射后硒化法能够制得高效率的铜铟镓硒太阳能电池。多源共蒸发法和溅射后硒化法在日本、美国、德国无论是实验室还是在生产线上都有采用。溅射后硒化法工艺相对简单，可以在大面积玻璃衬底上溅射金属合金层，可以精确控制各组分元素的比例，后硒化材...
【技术保护点】
一种线性蒸发源装置，用于在基板上沉积薄膜，包括：材料腔室、喷嘴盖和加热源，所述喷嘴盖位于所述材料腔室的上方并具有多个喷嘴，其特征在于：所述加热源的数量为两个或两个以上，均匀分布在所述材料腔室的下方，且每个所述加热源具有独立的控温系统。
【技术特征摘要】
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。