【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种薄膜太阳能电池及制成它的P型半导体。
技术介绍
薄膜太阳能电池以其低能耗、低成本、可大面积集成以及较高的转换效率代表着光伏发电技术的发展趋势。硅基薄膜太阳能电池目前占据薄膜光伏电池的最大市场份额，一般采用PECVD(等离子体增强型化学气相沉积)设备、使用含硅烷的源气体制备而成。单结娃基薄膜电池通常表现为p-1-n结构,掺硼的娃薄膜(p层)作为窗口区，未掺杂的本征娃薄膜(i层)作为光吸收区，掺磷的硅薄膜(n层)用来形成内建电场，并采用透明导电氧化物薄膜作为前电极，金属薄膜作为背部电极。p-1-n三层通常称为一个光伏单元，或一个“结”，单结太阳能电池含有单一的光伏单元。在玻璃衬底上制备的单结非晶硅太阳能电池的结构一般为:玻璃/透明导电氧化物薄膜 /p_a_SiC:H/1-a-S1:H/n-a-S1:H/ 金属薄膜,其中 p 型 a_SiC:H 和 n 型 a_S1:H 在 i 层a_S1:H两端建立一个内部电场，入射光透过p型a_SiC:H非晶硅层进入i层并在其中产生电子和空穴对，电子和空穴对被电场分离后由外部电路收集，从而将光能转换成电能。由于非晶硅...
【技术保护点】
一种薄膜太阳能电池，其结构为单结结构：基板/前电极/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于：所述的p型半导体由p+层半导体薄膜和p?层半导体薄膜构成，其中p+层半导体薄膜、p?层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成，?对于非晶硅电池，p+层半导体薄膜和p?层半导体薄膜均为非晶碳化硅a?SiC:H薄膜，p+层半导体薄膜的暗电导为1×10?5～5×10?5S/cm，能带隙为1.8～1.9?eV,?厚度为40～80??；p?层半导体薄膜的暗电导为1×10?7～5×10?7?S/cm，能带隙为2?~2.1?eV，厚度为30～100??；对于微晶硅电池...
【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池，其结构为单结结构:基板/前电极/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于:所述的p型半导体由P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜构成，其中P+层半导体薄膜、P-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成， 对于非晶硅电池，P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a_SiC:H薄膜， +层半导体薄膜的暗电导为1父10-5 5*10-5S/cm，能带隙为1.8 1.9 eV,厚度为40 80 A ;p-层半导体薄膜的暗电导为1X10_7 5X10_7 S/cm，能带隙为2 2.1 eV，厚度为30 100 A ; 对于微晶硅电池，P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜均为微晶硅M~S1:H薄膜，P+层半导体薄膜的暗电导为1X10—3 lX10_2S/Cm，能带隙为1.1 1.2 eV,厚度为40 80A;p-层半导体薄膜的暗电导为1X10_5 1X10_4 3/(^，能带隙为1.3 1.5 eV，厚度为30 100 Ao2.一种薄膜太阳能电池，其结构为双结结构:基板/前电极/ P型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/p型半导体/i层本征吸收层/n层半导体薄膜/背电极；其特征在于:所述的P型半导体由P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜构成，其中P+层半导体薄膜、P-层半导体薄膜为具有不同光电特性的同一种材料制成； 对于非晶硅电池，P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜均为非晶碳化硅a-SiC:H薄膜， +层半导体薄膜的暗电导为1父10-5 5\10-5S/cm，能带隙为1.8 1.9 eV,厚度为40 80 A ;p-层半导体薄膜的暗电导为1X10_7 5X10_7 S/cm，能带隙为2 2.1 eV，厚度为30 100 A ; 对于微晶硅电池，P+层半导体薄膜和P-层半导体薄膜均为微晶硅M~S1:H薄膜，P+层半导体薄膜的暗电导为1X10—3 lX10_2S/Cm，能带隙为1.1 1.2 eV,厚度为40 80A;p-层半导体薄膜的暗电导为1X10_5 1X10_4 3/(^，能带隙为1.3 1.5 eV，厚度为30 100 Ao3.一种薄膜太...
【专利技术属性】
技术研发人员：高平奇，孔英，王宽冒，黄艳红，云骁健，
申请(专利权)人：保定风帆光伏能源有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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