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具有多晶硅掺杂区域的背面接触太阳能电池结构制造技术

技术编号:8700233 阅读:134 留言:0更新日期:2013-05-13 04:18
一种太阳能电池结构,其特征在于包括:硅衬底,其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面;P型掺杂区域和N型掺杂区域;沟槽结构,其将P型掺杂区域和N型掺杂区域物理分开;以及沟槽中断,其断开沟槽结构的连续性并在P型掺杂区域和N型掺杂区域之间形成对接结。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种太阳能电池结构,其特征在于包括:硅衬底,其具有在正常工作期间面向太阳的正面和与正面相对的背面;P型掺杂区域和N型掺杂区域;沟槽结构,其将P型掺杂区域和N型掺杂区域物理分开;以及沟槽中断,其断开沟槽结构的连续性并在P型掺杂区域和N型掺杂区域之间形成对接结。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员:丹尼斯·德塞斯特彼得·约翰·卡曾斯戴维·D·史密斯
申请(专利权)人:太阳能公司
类型:实用新型
国别省市:

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