【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种太阳能电池。
技术介绍
太阳能是当今最清洁的能源之一，取之不尽、用之不竭。太阳能的利用方式包括光能-热能转换、光能-电能转换和光能-化学能转换。太阳能电池是光能-电能转换的典型例子，是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根据半导体光电转换材料种类不同，太阳能电池可以分为硅基太阳能电池、神化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。目前，太阳能电池以硅基太阳能电池为主。现有技术中的太阳能电池包括:ー背电极、一娃片衬底、一掺杂娃层和ー上电极。所述太阳能电池中娃片衬底和掺杂娃层形成P-N结，所述P-N结在太阳光的激发下产生多个电子-空穴对(激子)，所述电子-空穴对在静电势能作用下分离并分别向所述背电极和上电极移动。如果在所述太阳能电池的背电极与上电极两端接上负载，就会有电流通过外电路中的负载。然而，现有技术中，由于形成于所述掺杂硅层的表面为一平整的平面结构，其表面积较小，因此，使所述太阳能电池的取光面积较小。另外，太阳光线从外部入射到掺杂硅层的表面时，照射到所述掺杂娃层的光线一部分被吸收，一部分被反射，而被反射的光线不能再利用，因此所述太阳能电池对光线的利用率较低。
技术实现思路
有鉴于此，确有必要提供ー种具有较大取光面积的太阳能电池。—种太阳能电池,其包括:ー娃片衬底，所述娃片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述硅片衬底的第二表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述...
【技术保护点】
一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：一硅片衬底，所述硅片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面；多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述硅片衬底的第二表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度；一背电极，所述背电极设置于所述硅片衬底的第一表面，并与该第一表面欧姆接触；一掺杂硅层，所述掺杂硅层设置于所述三维纳米结构的表面；以及一上电极，所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括: ー娃片衬底，所述娃片衬底具有一第一表面以及与该第一表面相对设置的一第二表面； 多个三维纳米结构以阵列形式形成于所述硅片衬底的第二表面，且每一所述三维纳米结构包括一第一凸棱及一第二凸棱，所述第一凸棱与第二凸棱并排延伸，相邻的第一凸棱与第二凸棱之间具有一第一凹槽，相邻的三维纳米结构之间形成第二凹槽，所述第一凹槽的深度小于第二凹槽的深度； 一背电极，所述背电极设置于所述娃片衬底的第一表面，并与该第一表面欧姆接触； ー掺杂娃层，所述掺杂娃层设置于所述三维纳米结构的表面；以及 一上电极，所述上电极设置于所述掺杂硅层的至少部分表面。2.按权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述三维纳米结构为条形凸起结构，所述三维纳米结构在硅片衬底的第二表面以直线、折线或曲线并排延伸。3.按权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述三维纳米结构在其延伸方向的横截面的形状为M形。4.按权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凸棱及第ニ凸棱的横截面分别为锥形，所述第一凸棱与第二凸棱形成一双峰凸棱结构。5.按权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一凹槽的深度为30纳米 120纳米，所述第二凹槽的深度为100纳米 200纳米。6.按权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个三维纳米结构在硅片衬底第二表面按照等间距排布、同心圆环排布或同心回形排布。7.按权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述多个三维纳米结构在硅片衬底第二表面按同一周期或多个周...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱振东，李群庆，范守善，
申请(专利权)人：清华大学，鸿富锦精密工业深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：
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