非晶硅锗薄膜太阳电池制造技术

本发明专利技术涉及光伏太阳电池，公开了一种非晶硅锗薄膜太阳电池。包括在柔性衬底11上依次沉积背电极12、N型非晶硅掺杂层13、非晶硅锗电池本征吸收层14、宽带隙非晶硅P型掺杂层16、前电极17；根据本发明专利技术，在非晶硅锗电池本征吸收层14和宽带隙非晶硅P型掺杂层16之间还包含有一个窄带隙轻掺杂非晶硅P层15作为缓冲层。本发明专利技术有效地改善本征吸收层与宽带隙P层之间的能带和界面失配问题，更有利于载流子的输出和收集，从而提高电池的填充因子和转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏太阳电池，尤其是一种非晶硅锗薄膜太阳电池。
技术介绍
在各种薄膜电池中，非晶硅(a_S1:H)薄膜太阳电池是开发最早、研究最多的薄膜电池。由于非晶硅薄膜材料本身带隙较宽，对太阳光谱中长波光吸收不充分，限制了电池效率的进一步提高。为了解决这个问题，近年来人们广泛开展了非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜电池的研究工作，使得由非晶硅、非晶硅锗等光伏薄膜材料所构成的柔性衬底硅基叠层薄膜太阳电池能够广泛应用于光伏发电和空间飞行器电源等领域。现有技术的非晶硅锗(a-SiGe:H)薄膜电池，通常是在柔性衬底上依次沉积背电极、N型非晶硅掺杂层、非晶硅锗电池本征吸收层、非晶硅宽带隙P型掺杂层和前电极；由于硅基薄膜电池结构中P层普遍采用宽带隙的非晶碳化硅(a-SiC:H)或纳米硅(nc-S1:H)，它们的带隙宽度在2.0eV左右，因此导致非晶硅锗薄膜电池中本征吸收层和P型掺杂层之间的界面失配增加。虽然人们采用了本征层带隙渐变技术和在P/Ι界面添加非晶硅缓冲层技术等，非晶硅锗薄膜电池在填充因子及转换效率等方面仍然不令人满意，仍有较大的改进空间。目前没有发现同本专利技术类似技术的说明或报道本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非晶硅锗薄膜太阳电池，包括在柔性衬底上依次沉积背电极、N型非晶硅掺杂层、非晶硅锗电池本征吸收层、非晶硅宽带隙P型掺杂层、前电极；其特征在于，非晶硅锗电池本征吸收层和非晶硅宽带隙P型掺杂层之间还包含有一个窄带隙轻掺杂非晶硅P型缓冲层。

【技术特征摘要】
1.一种非晶硅锗薄膜太阳电池，包括在柔性衬底上依次沉积背电极、N型非晶硅掺杂层、非晶硅锗电池本征吸收层、非晶硅宽带隙P型掺杂层、前电极；其特征在于，非晶硅锗电池本征吸收层和非晶硅宽带隙P型掺杂层之间还包含有一个窄带隙轻掺杂非晶硅P型缓冲层。2.如权利要求1所述的薄膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨君坤，刘成，徐正军，
申请(专利权)人：上海空间电源研究所，
类型：发明
国别省市：