一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池制造技术

本发明专利技术公开了一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，包括N型硅衬底，N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，N型硅衬底上表面绒面上自下而上依次高温硼扩散掺杂沉积隔离层I(SiO2)、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备(上电极等丝网印刷技术)；N型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的亚高温磷扩散掺杂，依次形成隔离层I(SiO2)和N+型掺杂层构成NIN+的结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双面太阳能电池，特别是一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池。
技术介绍
能源危机下光伏产业发展迅速。光伏理论与技术的发展逐渐走向成熟，进一步推广光伏应用的关键是提高电池光电转换效率、降低电池成本。Si衬底上HIT(物理上讲即PIN结)电池在日本Sanyo公司得到大力发展。它是晶体Si上生长非晶Si薄层的“异质结”(HIT结)电池，其工艺温度实际是一种中温工艺，虽然转换效率略强，但是寿命短，双面电池是适合于高日照下工作，工艺上适合规模化生产的低价高效电池之一。但是真正的双面电池是德国2006年开发的双PIN结、三电极(背电极，发射极，选择发射极)结构。日本改为双电极结构(基极，集电极)，其实三电极结构更合理，发电效率更高。因为晶体的形成都是高温下形成，掺杂的薄膜可以高温或者亚高温，而中温的CVD品质上会影响整个电池片的寿命。日本Si衬底上所谓“HIT结构”太阳能电池(hetero2junctionwithintrinsicthin21ayer solar cells)并非传统的异质结,我们做的有机单晶与娃单晶的双面电池才是真正的异质结。我们分别以P型S1、N型S本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于：包括N型硅衬底，N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，N型硅衬底上表面绒面上进行高温硼扩散掺杂，并自下而上依次形成隔离层I、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层的四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备；N型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂，并自上而下依次形成隔离层I和N+型掺杂层构成NIN+的结构。

【技术特征摘要】
1.一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于:包括N型硅衬底，N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面，N型硅衬底上表面绒面上进行高温硼扩散掺杂，并自下而上依次形成隔离层1、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层的四层结构；最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜；其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备；N型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂，并自上而下依次形成隔离层I和N+型掺杂层构成NIN+的结构。2.根据权利要求1所述的N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其特征在于:所述N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池，其最顶层的P+型掺杂层上在印刷前电极后覆盖有EVA层，用激光...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩元杰，李新富，吴鹏飞，张冰，余上新，
申请(专利权)人：浙江金贝能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：