低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法技术

本发明专利技术提供一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的正面和背面分别形成氧化层；在氧化层上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜；对当前结构作退火以调节多晶硅薄膜的应力；在硅衬底正面的多晶硅薄膜上涂覆光刻胶保护，对硅衬底背面的多晶硅薄膜进行刻蚀，至露出氧化层时停止。本发明专利技术简化了工艺步骤，薄膜内部离子浓度分布的均匀性更好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：A.提供硅衬底（100）；B.在所述硅衬底（100）的正面和背面分别形成氧化层（102）；C.在所述氧化层（102）上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜（104）；D.对当前结构作退火以调节所述多晶硅薄膜（104）的应力；E.在所述硅衬底（100）正面的所述多晶硅薄膜（104）上涂覆光刻胶保护，对所述硅衬底（100）背面的所述多晶硅薄膜（104）进行刻蚀，至露出所述氧化层（102）时停止。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：颜毅林，晁磊，万建安，戴竝盈，徐元俊，
申请(专利权)人：上海先进半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31