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本实用新型涉及一种光伏技术领域的新型晶硅电池，具体地讲是涉及一种结合离子注入技术的全背面接触晶硅电池。全背面接触晶硅电池包括硅片基底、减反层、基极、发射极和金属栅线等，全背面接触晶硅电池的发射极和基极不在同一个平面内，能兼顾电子和空穴以很短...
该专利属于汉能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过汉能科技有限公司授权不得商用。

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