源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法技术

本发明专利技术公开了一种源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，包括步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)涂布有机底部抗反射层；4)各向同性自对准刻蚀源漏多晶硅；5)去除刻蚀阻挡层。该方法利用底部抗反射层作为掩膜，栅极中间的停止层作为刻蚀阻挡层，并利用栅极边墙隔离源漏多晶硅和栅，自对准刻蚀形成与有源区直接接触的源漏多晶硅，使接触孔得以直接落在源漏多晶硅上，而不是落在有源区上，从而缩小了有源区的面积，增加了接触孔的工艺窗口，提高了半导体器件的集成度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种源漏多晶硅的自对准干法刻蚀工艺方法。
技术介绍
在目前的经济型SiGe BiCMOS(锗硅-双极性晶体管-互补型金属氧化场效应管)的结构中，没有源漏多晶硅，接触孔(CT)只能直接落在有源区(AA)上。随着器件集成度的不断提高，有源区的面积不断缩小，但接触孔的尺寸却无法过度减少，这限制了 SiGeBiCMOS的集成度的进一步提高。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种，它可以缩小器件有源区的面积，提高器件的集成度。为解决上述技术问题，本专利技术的，包括以下步骤:I)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层以及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)在源漏多晶硅上涂布有机底部抗反射层；4)各向同性地自对准刻蚀源漏多晶硅；5)干法或湿法去除所述刻蚀阻挡层。本专利技术利用底部抗反射层作为掩膜，栅极中间的氮化硅(或氧化硅)作为刻蚀阻挡层，并利用栅极边墙的氮化硅(或氧化硅)隔离源漏多晶硅和栅，自对准刻蚀形成可与有源区直接接触的源漏多晶硅(SD P0LY)，使接触孔得以直接落在源漏多晶硅上，而不是落在有源区上，从而缩小了有源区的面积，本文档来自技高网...

【技术保护点】
源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层以及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)在源漏多晶硅上涂布有机底部抗反射层；4)各向同性地自对准刻蚀源漏多晶硅；5)干法或湿法去除所述刻蚀阻挡层。

【技术特征摘要】
1.源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤: 1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层以及栅极边墙； 2)淀积源漏多晶娃； 3)在源漏多晶娃上涂布有机底部抗反射层； 4)各向同性地自对准刻蚀源漏多晶硅； 5)干法或湿法去除所述刻蚀阻挡层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤I)，所述刻蚀阻挡层和栅极边墙为氮化硅或氧化硅，所述刻蚀阻挡层的厚度为100 500埃米。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)淀积的源漏多晶硅的厚度为100埃米 1.2微米。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，所述抗反射层的厚度大于所述多晶硅栅极的高度。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)、4)之间，还包括步骤: a)在所述抗反射层上多晶硅栅极以外的区域，涂布光刻胶，对抗反射层进行自对准干法刻蚀，去除多晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴智勇，孙娟，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：