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本发明公开了一种源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，包括步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)涂布有机底部抗反射层；4)各向同性自对准刻蚀源漏多晶硅；5)去除刻蚀阻挡层。该方法利用底部抗反射层...该专利属于上海华虹NEC电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹NEC电子有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种源漏多晶硅自对准干法刻蚀方法，包括步骤：1)在硅衬底上制作多晶硅栅极、栅极中间的刻蚀阻挡层及栅极边墙；2)淀积源漏多晶硅；3)涂布有机底部抗反射层；4)各向同性自对准刻蚀源漏多晶硅；5)去除刻蚀阻挡层。该方法利用底部抗反射层...