一种氮化硅坩埚及其制备方法技术

技术编号:8773912 阅读:195 留言:0更新日期:2013-06-08 17:14
本发明专利技术公开了一种氮化硅坩埚,该种坩埚自外向内依次为氮化硅外壁层,富硅层,氮化硅内壁层,氧化锆涂层。其中外壁层可以替代石墨坩埚在高温下起支撑作用,内壁层可以抵抗一定量的热冲击,富硅层在高温下处于软化状态并且气孔率较高,当热冲击传到此处时,通过气孔的压缩和一定的形变将其释放,极大的增强了氮化硅坩埚的抗热冲击能力。氧化锆涂层形成了防粘结层,有效地解决了硅料凝固时与坩埚内壁的粘连问题,使坩埚的重复使用成为可能。同时,本发明专利技术还公开了制备具有上述特征的氮化硅坩埚的方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种氮化硅坩埚,其特征在于,自外向内依次为氮化硅外壁层、富硅层、氮化硅内壁层和氧化锆涂层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郭江涛王先进郑志东
申请(专利权)人:浙江昱辉阳光能源有限公司
类型:发明
国别省市:

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