半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置及其制造方法。所述半导体装置在同一半导体基板上形成有二极管区和绝缘栅双极性晶体管区。二极管区具备：第一层，其被埋入从半导体基板的表面侧至二极管漂移层的、二极管沟槽内；第二层，其被埋设在第一层内，且其下端位于与二极管体层和二极管漂移层的边界相比较深的深度处。绝缘栅双极性晶体管区具备绝缘栅双极性晶体管栅，所述缘栅双极性晶体管栅从半导体基板的表面侧起贯穿绝缘栅双极性晶体管体层，并到达绝缘栅双极性晶体管漂移层。第二层从二极管沟槽的内侧朝向外侧对第一层进行按压。在二极管漂移层中，至少在第二层的下端的深度处形成有寿命控制区，寿命控制区内的晶体缺陷密度高于寿命控制区外的晶体缺陷密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：池田知治，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：
国别省市：