低阻抗传输线制造技术

本发明专利技术揭示一种具有传输线(104)的系统(100)，所述传输线(104)在其中心分接头(120)处耦合到平衡-不平衡转换器(102)。通常，传输线(104)运载在约160GHz(例如)的频率范围内的信号且可具有约20μm的长度。为了调整施加在所述中心分接头(120)处的阻抗，传输线(104)的传输线单元(112-1到112-9)绕所述中心分接头(120)而改变。靠近所述中心分接头(120)的传输线单元(即，112-1到112-3)以递减的高度串联。这些传输线单元(112-1到112-9)中的每一者大体包括金属氧化物半导体MOS电容器、金属电容器和共面波导管。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术大体上涉及传输线，且更特定而言，涉及用于高频率应用的低阻抗传输线。
技术介绍
传输线在集成电路(IC)中使用传输线单元或元件是众所周知的。通常，这些传输线单元的不同高度可改变单元(及传输线)的特征。就是说，阻抗与高度成反比。然而，在阻抗与间隔(布局)规范之间通常存在折衷。此外，许多组件(例如，平衡-不平衡转换器(balun))使用不同的输入阻抗。因此，需要具有可变元件以在遵守间隔规范的同时容纳不同组件的传输线。
技术实现思路
因此，本专利技术的实例实施例提供一种装置。所述装置包括:在衬底上形成的MOS电容器；在皿)3电容器上形成的金属电容器；以及在金属电容器上形成的共面波导管。根据本专利技术的实例实施例，金属电容器进一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金属化层。根据本专利技术的实例实施例，金属化层进一步包括第一金属化层，且其中共面波导管进一步包括:具有第一、第二和第三部分的第二金属化层；在第一金属化层的第一部分与第二金属化层的第一部分之间所形成的第一组导电通孔；在第一金属化层的第二部分与第二金属化层的第二部分之间所形成的第二组导电通孔；以及在第一金属化层的第三部分与第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.22 US 12/888,2081.一种装置，其包括: MOS电容器，其在衬底上形成； 金属电容器，其在所述MOS电容器上形成；以及 共面波导管，其在所述金属电容器上形成。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属电容器进一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金属化层。3.根据权利要求2所述的装置，其中所述金属化层进一步包括第一金属化层，且其中所述共面波导管进一步包括: 第二金属化层，其具有第一、第二和第三部分； 第一组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第一部分与所述第二金属化层的所述第一部分之间形成； 第二组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第二部分与所述第二金属化层的所述第二部分之间形成；以及 第三组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第三部分与所述第二金属化层的所述第三部分之间形成。4.根据权利要求3所述的装置，其中所述第一金属化层进一步包括多个第一金属化层，所述第一金属化层中的 每一者具有第一、第二和第三部分。5.根据权利要求3所述的装置，其中所述共面波导管进一步包括: 第三金属化层，其具有第一、第二和第三部分；以及 第四组导电通孔，其在所述第二金属化层的所述第一和第三部分中的至少一者与所述第三金属化层之间形成。6.根据权利要求5所述的装置，其中MOS电容器进一步包括: 第四金属化层，其具有第一部分和第二部分； 多个源极/漏极区域，其在所述衬底中形成； 多个栅极绝缘体层，其在所述衬底上形成，其中每一栅极绝缘体层是在至少两个源极/漏极区域之间形成的； 多个栅电极，其中每一栅电极是在所述栅极绝缘体层中的至少一者上形成的； 搭接片，其耦合到每一栅电极； 第七组导电通孔，其中来自所述第七组的每一导电通孔是在至少一个源极/漏极区域与所述第四金属化层的所述第一部分之间形成的；以及 第八组导电通孔，其中来自所述第八组的每一导电通孔是在所述搭接片处与所述第四金属化层的所述第二部分之间形成的。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置进一步包括在所述衬底上形成的二极管。8.一种装置，其包括: 平衡-不平衡转换器，其具有中心分接头；以及 多个传输线单元，其彼此邻近以形成传输线，其中所述传输线耦合到所述中心分接头，且其中靠近所述中心分接头的所述传输线单元的尺寸经设计以具有比远离中心分接头的所述传输线单元小的高度，其中每一传输线单元包含:MOS电容器，其在衬底上形成； 金属电容器，其在所述MOS电容器上形成；以及 共面波导管，其在所述金属电容器上形成。9.根据权利要求8所述的装置，其中所述金属电容器进一步包括具有相互交叉的第一、第二和第三部分的金属化层。10.根据权利要求9所述的装置，其中所述金属化层进一步包括第一金属化层，且其中所述共面波导管进一步包括: 第二金属化层，其具有第一、第二和第三部分； 第一组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第一部分与所述第二金属化层的所述第一部分之间形成； 第二组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第二部分与所述第二金属化层的所述第二部分之间形成；以及 第三组导电通孔，其在所述第一金属化层的所述第三部分与所述第二金属化层的所述第三部分之间形成。11.根据权利要求10所述的装置，其中所述第一金属化层进一步包括多个第一金属化层，所述第一金属化层中的每一者具有第一、第二和第三部分。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述共面波导管进一步包括: 第三金属化层，其具有第一、第二和第三部分；以及 第四组导电通孔， 其在所述第二金属化层的所述第一和第三部分中的至少一者与所述第三金属化层之间形成。13.根据权利要求12所述的装置，其中MOS电容器进一步包括: 第四金属化层，其具有第一部分和第二部分； 多个源极/漏极区域，其在所述衬底中形成； 多个栅极绝缘体层，其在所述衬底上形成，其中每一栅极绝缘体层是在至少两个源极/漏极区域之间形成的； 多个栅电极，其中每一栅电极是在所述栅极绝缘体层中的至少一者上形成的； 搭接片，其耦合到每一栅电极； 第七组导电通孔，其中来自所述第七组的每一导电通孔是在至少一个源极/漏极区域与所述第四金属化层的所述第一部分之间形成的；以及 第八组导电通孔，其中来自所述第八组的每一导电通孔是...

【专利技术属性】
技术研发人员：布赖恩·P·金斯伯格，维贾伊·B·伦塔拉，斯里纳特·M·拉马斯瓦米，巴赫尔·S·哈龙，硕恩永，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：
国别省市：