多层存储阵列制造技术

一种多层交叉存储阵列包括多个层（514）。每个层（514）包括一组平行的顶部线，与一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及被布置在一组平行的顶部线和一组平行的底部线之间的交叉位置的存储元件（200、216）。来自层（514）之一的一组平行的顶部线是层（514）中相邻层的一组平行的底部线。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】多层存储阵列政府利益声明本专利技术是在政府支持下完成的。政府拥有本专利技术的一些权利。
技术介绍
随着数字数据的使用增加，对更快、更小和更有效的存储结构的需求也增加。一种近来开发出的存储结构是交叉存储阵列。交叉存储阵列包括与第二组平行导线相交叉的第一组导线。在第一组导线和第二组导线之间的交叉位置，放置被配置为存储数字数据的可编程存储元件。传统上，建造更高密度的存储阵列是通过减小导线宽度和存储元件的尺寸来实现的。然而，更小的导线宽度和更小的存储元件导致更昂贵和更复杂的制造过程。一种建造更高密度存储阵列的方法是在第三维度上堆叠交叉阵列。然而，在通常的用于制造交叉阵列的光刻工艺中，堆叠交叉阵列需要更多掩模。使用的掩模越多，在第三维度上堆叠存储阵列会越昂贵。附图说明附示本专利技术中描述的原理的各个实施例并且是说明书的一部分。所图示的实施例仅是示例，而不限制权利要求的范围。图1是根据本专利技术中描述的原理的一个示例示出说明性交叉阵列的示意图。图2A是根据本专利技术中描述的原理的一个示例示出说明性底部有向存储元件及其伴随电路图的图。图2B是根据本专利技术中描述的原理的一个示例示出说明性顶部有向存储元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种多层存储阵列(500)，包括: 多个层(514)，每个层包括: 一组平行的顶部线， 与所述一组平行的顶部线相交叉的一组平行的底部线，以及 存储元件(200、216)，设置在所述一组平行的顶部线和所述一组平行的底部线组之间的交叉位置； 其中，来自所述层(514)之一的一组平行的顶部线也是所述层(514)中相邻层的一组平行的底部线。2.根据权利要求1所述的存储阵列，其中所述存储元件(200、216)是忆阻存储元件。3.根据权利要求2所述的存储阵列，其中所述忆阻存储元件包括金属氧化物材料。4.根据权利要求1所述的存储阵列，其中所述存储元件(200、216)抑制电流在一个方向上的流动。5.根据权利要求4所述的存储阵列，其中来自所述层(514)之一的所述存储元件(200、216)中的每个存储元件抑制电流在一个方向上流动，在所述层(514)中相邻层中的所述存储元件(200、216)中的每个存储元件抑制电流在与所述一个方向相反的方向上流动。6.根据权利要求1所述的存储阵列，其中在所述存储元件两端的电极包括非还原性导电材料。7.根据权利要求1所 述的存储阵列，其中为了访问所述层(514)之一的存储元件(200、216)，电压被施加至来自所述一组平行的顶部线的第一线和来自所述一组平行的底部线的第二线，所述顶部线和所述底部线连接至所述存储元件。8.根据权利要求1所述的存储阵列，其中施加至来自所述层(514)之一的存储元件的电压的极性在将所述电压至所述层(514)中相邻层中的存储元件时被颠倒。9.根据权利要求1所述的存储阵列，其中沿着相同线的多个存储元件(...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾尼斯·H·尼克尔，吉尔贝托·梅代罗斯·里贝罗，杨建华，
申请(专利权)人：惠普发展公司，有限责任合伙企业，
类型：
国别省市：