溅射靶、透明导电膜、薄膜晶体管、薄膜晶体管基板及其制造方法及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供具备基本上不会有由蚀刻造成的残渣等的产生的透明导电膜的薄膜晶体管型基板及其制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。在具备透明基板、设于所述透明基板上的源电极、设于所述透明基板上的漏电极、设于所述透明基板上的透明像素电极的薄膜晶体管型基板中，所述透明像素电极是作为主成分含有氧化铟，另外还含有选自氧化钨、氧化钼、氧化镍及氧化铌中的一种或两种以上的氧化物的透明导电膜，所述透明像素电极与所述源电极或所述漏电极电连接。本发明专利技术还提供此种薄膜晶体管型基板的制造方法及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。

【技术实现步骤摘要】

第一组:领域第一组的本专利技术涉及驱动液晶显示装置的液晶的薄膜晶体管型基板。另外，本专利技术涉及制造该薄膜晶体管型基板的方法，涉及使用了该薄膜晶体管型基板的液晶显示装置。薄膜晶体管型基板有时也使用薄膜晶体管的缩略的叫法，称作TFT基板。第二组:领域另外，第二组的本专利技术涉及无定形硅薄膜晶体管(a-SiTFT)或使用了多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)的液晶显示装置的制造方法。更具体来说，涉及可以降低像素电极图案与源 漏配线的接触电阻及栅配线取出部、源 漏电极取出部的配线金属与透明电极的接触电阻的液晶显示装置及其制造方法。特别涉及有关溅射靶的方案及利用使用了该溅射靶的制造方法得到的透明导电膜及具备了该透明导电膜的透明导电玻璃基板。第三组:领域第三组的本专利技术涉及薄膜晶体管(Thin Film Transistor:以下也有记作TFT的情况)基板，特别涉及TFT。另外，涉及该TFT基板的制造方法。另外，涉及使用了该TFT基板的液晶显示装置。第四组:领域第四组的本专利技术涉及无定形硅薄膜晶体管U-SiTFT)或使用了多晶硅薄膜晶体管(p-SiTFT)的液晶显示装置的制造方法。更具本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种溅射靶，其以氧化铟为主成分，包括：选自由W、Mo、Nb、Ni、Pt、Pd构成的第一金属组M1中的一种或两种以上的金属或该金属的氧化物、选自由镧系金属构成的第二金属组M2中的一种或两种以上的金属的氧化物。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：井上一吉，笘井重和，松原雅人，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：