SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米锥阵列，所制备的SnO2纳米锥阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条件温和、重复性好、阵列取向性好，可在传感器、染料敏化太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料
，特别设计一种低温条件下通过化学气相沉积法制备出高度取向的SnO2纳米锥阵列的方法。
技术介绍
纳米材料具有不同于体相材料的物理和化学性能，其性能强烈的依赖于形貌和尺寸。同时不同形貌的纳米结构也是构筑纳米器件的基本模块。一维或准一维结构的二氧化锡，由于其独特的光学、电学和几何特性在化学传感、气敏传感器、锂离子电池和太阳能电池等领域有广泛的应用。因此，人们采用热蒸发、化学气相沉积(CVD)、金属有机化学气相沉积以及湿化学法等制备出了纳米线、纳米带、纳米棒、纳米管、微米锥、纳米纺锤、Z字形纳米带、鸟嘴状纳米棒、纳米带阵列、纳米棒阵列、纳米管阵列以及复杂的分级结构。其中，一维结构的组装与排列，是纳米器件设计与制造的关键。一维纳米结构阵列中，纳米锥相对纳米棒，具有较小的曲率半径，因此具有增强的场发射性能。Ma L. A.等人以单质锡粉为原料，通过CVD法于850°C在不锈钢网基质上生长出SnO2微米锥状结构，其锥状结构尖端的直径大约为70 - 150nm。随后Li junjie等以锡粒为锡源，通过CVD法在850°C于覆盖有金层的Si衬底上生长出SnO2纳米纺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SnO2纳米锥阵列的低温化学气相沉积制备方法，其特征在于包括下述步骤：（1）FTO导电玻璃预处理将FTO导电玻璃裁成25x20mm2的矩形片，依次放入去离子水、丙酮、无水乙醇中，分别在功率为245～255W、频率为35～45kHz条件下各超声波清洗30分钟，自然晾干；（2）制备SnO2纳米锥阵列称取SnCl2·2H2O与ZnCl2质量比为1：0.8～11置于坩埚内，混匀，将步骤（1）晾干的FTO导电玻璃竖直放置在坩埚内，FTO导电玻璃的底边距离坩埚内的SnCl2·2H2O与ZnCl2混合物的距离为0.8～1.2cm，置于马弗炉内加热至560～610℃，升温速率为10℃/分钟，停止加热，静置...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨合情，李小博，申琼，王学文，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：