SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法技术

本发明专利技术涉及一种SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法，是以易挥发的SnCl2·2H2O作锡源，在560～610℃的马弗炉内反应，生成大面积的SnO2纳米管阵列，所制备的SnO2纳米管阵列可直接生长在FTO导电玻璃上，其工艺简单、反应条件温和、阵列取向性好，可在传感器、锂离子电池、染料敏化太阳能电池和场发射显示器等领域推广应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳米材料
，特别设计一种低温条件下通过化学气相沉积法制备出高度取向的SnO2纳米管阵列的方法。
技术介绍
纳米材料具有不同于体相材料的物理和化学 性能，这些性能强烈的依赖其形貌和尺寸。同时不同形貌的纳米结构也是构筑纳米器件的基本模块。一准一维结构的SnO2,由于其独特的光学、电学和几何特性在化学传感、气敏传感器、锂离子电池电极和太阳能电池等领域有广泛的应用。所以，人们采用各种方法，其中包括热蒸发、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积以及湿化学法制备出了纳米线、纳米带、纳米棒、纳米管、微米锥、纳米纺锤、Z字形纳米带、鸟嘴状纳米棒、纳米带阵列、纳米棒阵列、纳米管阵列以及一维纳米结构组装的分级结构等。其中，一维结构的组装与排列，是纳米器件设计与制造的关键。一维纳米结构阵列中，纳米管相对纳米棒，由于其中空结构而具有更大的比表面积和较小曲率半径，因此具有更为优越的气体传感，锂离子电池和场发射性能。Liu Ying 等首次通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法于900-1150°C在石英和单晶硅衬底上生长出了截面为正方形的氧化锡纳米管阵列。随后，WangYong等采用多空本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种SnO2纳米管阵列的低温化学气相沉积制备方法，其特征在于包括下述步骤：（1）FTO导电玻璃预处理将FTO导电玻璃裁成25×20mm2的矩形片，依次放入去离子水、丙酮、无水乙醇中，分别在功率为245～255W、频率为35～45kHz条件下各超声波清洗30分钟，自然晾干；（2）制备SnO2纳米管阵列称取SnCl2·2H2O与ZnCl2质量比为1：12～18置于坩埚中，混匀，将步骤（1）晾干的FTO导电玻璃竖直放置在坩埚内，FTO导电玻璃的底边距离坩埚内的SnCl2·2H2O与ZnCl2混合物的距离为0.8～1.2cm，置于马弗炉内加热至560～610℃，升温速率为10℃/分钟，停止加热，静置，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨合情，李小博，申琼，王学文，
申请(专利权)人：陕西师范大学，
类型：发明
国别省市：