一种二极管及其制造方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种二极管包括：从下至上顺次连接的第一金属层、第一导电类型第一半导体层、第一导电类型第二半导体层、第一导电类型第三半导体层、第二导电类型第四半导体层和第二金属层；第三半导体层包括第一区域和第二区域；第一区域位于第二半导体层和第二区域之间；第二区域与位于其上的第四半导体层连接；第一区域晶格缺陷密度小于第二区域晶格缺陷密度；该二极管在保证二极管的反向恢复功耗不变的情况下改善了二极管的软度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，尤其是一种二极管。
技术介绍
功率快恢复二极管(FRD)是一种开关特性好，反向恢复时间短的半导体器件。主要应用于开关电源、脉宽调制器、变频器等电子电路，广泛作为高频整流、续流、阻尼二极管。快恢复二极管的基本结构如图1所示，具有101 P型区，与105金属电极连接，102为低掺杂浓度的N-漂移区，漂移区位于P型区101之下，N-漂移区包括第一区域107和第二区域108，N区103位于N-区102之下，其为掺杂浓度比102稍高的外延层，N+104位于N区103之下，其为高浓度的N+衬底，N+衬底104与106金属电极相连，金属层106作为二极管的阴极。功率快恢复二极管工作原理如下:二极管正向导通时，阳极加正电压，由P区101及N-区102组成的PN结导通，P区101向N-体区102注入空穴，N+衬底104向N-漂移区注入电子；当二极管关断时，阴极加正压，由P区101与N-漂移区组成的PN结在反偏电压作用下耗尽层主要向N-漂移区扩展，位于漂移区102和P型区101组成的PN结附近的载流子被反向迅速抽取，那么该处的载流子浓度决定了二极管反向恢复时的峰值电流，载流子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种二极管,其特征在于，包括：从下至上顺次连接的第一金属层、第一导电类型第一半导体层、第一导电类型第二半导体层、第一导电类型第三半导体层、第二导电类型第四半导体层和第二金属层；所述第三半导体层包括第一区域和第二区域，所述第一区域位于第二半导体层和第二区域之间，所述第二区域与第四半导体层连接；所述第一区的域晶格缺陷密度小于第二区域的晶格缺陷密度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：肖秀光，黄定园，吴海平，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44