LED芯片的制造方法及其结构技术

本发明专利技术是有关于一种LED芯片的制造方法及其结构。其中该方法包括下列步骤：提供一导电块材；提供一磊晶块材；进行结合；移除磊晶层基材；制作独立发光二极管；形成一第二绝缘层；以及进行电性连接。导电块材上形成有第一、第二及第三发光二极管，其中第一与第二发光二极管相互并联，第二与第三发光二极管相互串联。因此借由本发明专利技术可以形成具有可弹性设计的发光二极管串并联的基本单元结构，从而可以大幅的提升发光二极管芯片衍生设计的多样性及应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种LED芯片的制造方法及其结构，特别是涉及一种应用于照明的LED芯片的制造方法及其结构。
技术介绍
图1是一种现有习知水平架构的发光二极管的剖视图。现有习知水平架构的并联发光二极管101，其是在一砷化镓(GaAs)的绝缘基材10上形成一 N型半导体层111 ;然后在N型半导体层111上又形成一 P型半导体层112 ;接着以蚀刻方式形成多颗发光二极管11 ;最后借由第一绝缘材料12及导电层13使不同的发光二极管11间形成并联结构。以TD工艺制作的发光二极管11，只能将不同的发光二极管11彼此形成并联结构而无法形成串联结构。图2是一种现有习知晶圆结合(Wafer Bonding, WB)工艺下的发光二极管水平架构的剖视图。现有习知以WB工艺技术制作的并联发光二极管102，其是在一金属或硅基材14上形成一第二绝缘材料15 ;接着在第二绝缘材料15上形成P型半导体层112 ;然后在P型半导体层112上又形成一 N型半导体层111 ;接着以蚀刻方式形成多颗发光二极管11 ;最后借由第一绝缘材料12及导电层13使不同的发光二极管11间形成并联结构。以WB工艺制作的垂直型发光二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一导电块材，该导电块材包含：一导电基材，其具有一第一区域及一第二区域；一第一绝缘层形成于该第一区域上；及一第一金属层形成于该第二区域及该第一绝缘层上；提供一磊晶块材，该磊晶块材包含：一磊晶层基材；一磊晶层形成于该磊晶层基材上；及一第二金属层形成于该磊晶层相对于该磊晶层基材的另外一侧的一半导体侧；进行结合，是借由结合该第一金属层及该第二金属层将该导电块材与该磊晶块材结合成一体以成为一结合块材；移除该磊晶层基材，是将该磊晶层基材自该结合块材移除以形成一发光二极管块材；制作独立发光二极管，是将该发光二极管块材进行蚀刻，使该第一区域上形成至少一第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑为太，陈明鸿，潘敬仁，
申请(专利权)人：海立尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71