高压覆晶LED结构及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。芯片基板包括蓝宝石基板及其上的多个LED芯片，在形成第一钝化层后形成全透明的共电连层使LED芯片彼此电性串联。接着，沉积第二钝化层成为平坦的钝化表面，借此让形成于其上的镜面层能具有相同的水平高度，使反射出的光线不具有光程差。最后设置接合金属层以供导电。本发明专利技术可得到全透明电极且出光不具光程差的高压覆晶LED结构。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是有关于一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤：提供芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。芯片基板包括蓝宝石基板及其上的多个LED芯片，在形成第一钝化层后形成全透明的共电连层使LED芯片彼此电性串联。接着，沉积第二钝化层成为平坦的钝化表面，借此让形成于其上的镜面层能具有相同的水平高度，使反射出的光线不具有光程差。最后设置接合金属层以供导电。本专利技术可得到全透明电极且出光不具光程差的高压覆晶LED结构。【专利说明】高压覆晶LED结构及其制造方法
本专利技术涉及一种LED结构及其制造方法，特别是涉及一种高压覆晶LED结构及其制造方法。
技术介绍
近几年，发光二极管(LED)已经渐渐成为照明市场的主要产品，其小巧、高效能及环保等特性受到肯定。因此，各大厂商无不致力于开发更高发光效率、高良率的LED结构及其工艺。图1为现有习知的一种覆晶LED结构。如图1所不，现有习知的一种覆晶LED结构100包括:LED基板110、N极电极150、P极电极160、焊垫140、阻隔层180、反射层120、图案化绝缘层170、导电层190及磊晶叠层130。其中，磊晶叠层130包括:N型半导体层131、发光层132及P型半导体层133。为了增加出光率，现有习知的覆晶LED结构100会使用反射层120将发光层132发出的光线反射，使其向正向出光。然而，反射层120的高度不同，会造成被反射的光线间具有光程差。目如，闻压LED结构可通过在同一基板上串联多个LED芯片嘉晶结构而达成。已知高压LED结构可以简化LED封装工艺、提升发光效率，并且在未来照明市场有极大的竞争潜力，因此如何利用高压LED结构，设计出能够大幅改良上述光程差的高压覆晶LED结构是个重要的课题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的覆晶LED结构存在的问题，而提供一种高压覆晶LED结构及其制造方法，其中制造方法包括下列步骤:提供一芯片基板；沉积第一钝化层；形成共电连层；沉积第二钝化层；沉积镜面层；蚀刻两导电通道；以及设置两接合金属层。本专利技术所要解决的技术问题包括:制造出一种具有全透明电极且反射层在同一平面的高压覆晶LED结构。本专利技术提供一种闻压覆晶LED结构的制造方法，包括:提供芯片基板，其中芯片基板包括:蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于蓝宝石基板上，每一 LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片；沉积第一钝化层，其在所述LED芯片周围沉积第一钝化层；形成共电连层，其在除去位在每一透明导电氧化物层及每一 N型表面上的第一钝化层后，分别于每一透明导电氧化物层及每一N型表面上形成第一电连层及第二电连层，并形成第三电连层以连接LED芯片的第一电连层及相邻的另一 LED芯片的第二电连层，第一电连层、第二电连层及第三电连层构成共电连层；沉积第二钝化层，其沉积于第一钝化层及共电连层上并形成平坦的钝化表面；沉积镜面层，其在钝化表面上沉积镜面层；蚀刻两导电通道，其分别由镜面层往下蚀刻至第一 LED芯片的第一电连层及往下蚀刻至第二 LED芯片的第二电连层以形成所述导电通道；以及设置两接合金属层，其分别在每一导电通道填充接合金属，并设置所述接合金属层于镜面层上，以分别与接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。较佳的，前述的制造方法，其中其进一步包括形成多个微结构于该蓝宝石基板的背侧表面。较佳的，前述的制造方法，其中其进一步包括结合电路板，其以所述接合金属层与该电路板上的导电金属电性连接。较佳的，前述的制造方法，其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。较佳的，前述的制造方法，其中该金属为铝或银。较佳的，前述的制造方法，其中所述接合金属层的表面电镀有金薄膜。本专利技术又提供一种高压覆晶LED结构，其包括:芯片基板，其中芯片基板包括:蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于蓝宝石基板上，每一 LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片；第一钝化层,其设置于每一 LED芯片的侧边；共电连层,其包括:第一电连层，其位于每一透明导电氧化物层上；第二电连层，其位于每一N型表面上；及第三电连层，其连接每一相邻的第一电连层及第二电连层并覆盖于每一 LED芯片侧边的第一钝化层；第二钝化层，其包覆第一钝化层及共电连层以形成平坦的钝化表面；镜面层，其设置于钝化表面上；两接合金属，其穿过镜面层及第二钝化层以分别与第一 LED芯片的第一电连层及第二 LED芯片的第二电连层相接；以及两接合金属层，其分别设置于镜面层上并与所述接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中其进一步包括电路板，其以导电金属与所述接合金属层电性连接。较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中该镜面层由分布布拉格反射镜及金属组成。较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中该金属为铝或银。较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中所述接合金属层的表面电镀有金薄膜。较佳的，前述的高压覆晶LED结构，其中该蓝宝石基板的背侧表面进一步包括多个微结构。借由本专利技术的实施，至少可达到下列进步功效:一、可以得到全透明电极的覆晶LED结构，以增加发光效率。二、可以得到反射层位于同一平面的覆晶LED结构，以减少光程差。上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合说明书附图，详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1为现有习知的一种覆晶LED结构。图2为本专利技术实施例的一种高压覆晶LED结构的制造方法流程图。图3为本专利技术实施例的一种提供芯片基板步骤的剖面示意图。图4为本专利技术实施例的一种沉积第一钝化层步骤的剖面示意图。图5为本专利技术实施例的一种蚀刻第一钝化层的剖面示意图。图6为本专利技术实施例的一种形成共电连层步骤的剖面示意图。图7为本专利技术实施例的一种沉积第二钝化层步骤的剖面示意图。图8为本专利技术实施例的一种沉积镜面层步骤的剖面示意图。图9为本专利技术实施例的一种蚀刻两导电通道步骤的剖面示意图。图10为本专利技术实施例的一种填充导电金属的剖面示意图。图11为本专利技术实施例的一种设置两接合金属层步骤的剖面示意图。图12为本专利技术实施例的一种形成多个微结构步骤的剖面示意图。图13为本专利技术实施例的一种结合电路板步骤的剖面示意图。图14为本专利技术实施例的高压覆晶LED结构剖视图。图15为本专利技术实施例的高压覆晶LED结构的使用剖视图。【主要元件符号说明】10 芯片基板11 监宝石基板111 第一表面112 第二表面113 微结构12 LED芯片12’ 第一 LED 芯片12” 第二 LED 芯片12”，第三LED芯片121 N型层122 N型表面123 量子井层124 P型层125 透明导电氧化物层20 第一钝化层30 共电连层31 第一电连层32 第二电连层 33 第三电连层40 第二钝化层41 钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压覆晶LED结构的制造方法，其特征在于包括：提供芯片基板，其中该芯片基板包括：蓝宝石基板；及多个LED芯片，彼此分离地形成于该蓝宝石基板上，每一该LED芯片由下往上形成N型层、量子井层、P型层及透明导电氧化物层，且该N型层露出N型表面，所述LED芯片包括第一LED芯片及第二LED芯片；沉积第一钝化层，其在所述LED芯片周围沉积该第一钝化层；形成共电连层，其在除去位在每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上的该第一钝化层后，分别于每一该透明导电氧化物层及每一该N型表面上形成第一电连层及第二电连层，并形成第三电连层以连接该LED芯片的该第一电连层及相邻的另一该LED芯片的该第二电连层，该第一电连层、该第二电连层及该第三电连层构成该共电连层；沉积第二钝化层，其沉积于该第一钝化层及该共电连层上并形成平坦的钝化表面；沉积镜面层，其在该钝化表面上沉积该镜面层；蚀刻两导电通道，其分别由该镜面层往下蚀刻至该第一LED芯片的该第一电连层及往下蚀刻至该第二LED芯片的该第二电连层以形成所述导电通道；以及设置两接合金属层，其分别在每一该导电通道填充接合金属，并设置所述接合金属层于该镜面层上，以分别与该接合金属接合，且所述接合金属层彼此分离。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明鸿，许世昌，
申请(专利权)人：海立尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71