高电压交流发光二极管结构制造技术

本发明专利技术为一种高电压交流发光二极管结构，其包括：电路基板；以及多个高压LED芯片。高压LED芯片包括：第一基材；粘着层；第一欧姆连接层；磊晶层；第一绝缘层；至少两第一导电板；至少两第二导电板；以及第二基材。借由本发明专利技术的实施，可以以晶圆级工艺的高压LED芯片结合较低成本的电路基板，以制作出体积小的高电压交流发光二极管结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高电压交流发光二极管结构，特别是涉及一种应用于照明用的高电压交流发光二极管结构。
技术介绍
美国专利公告第6，853，011号，揭露了一种发光磊晶层结构，其一端包括有一吸光型的临时基材，而另一端借由苯环丁烯粘着一透光的透明基材。然后将吸光型临时基材的部份被移除。接着发光二极管结构形成一连接通道以连接第一欧姆接触电极，以及形成一绝缘沟槽以将发光二极管结构的作用层分离成两个部分。然后，一第二欧姆接触电极形成在披覆层上、一接合金属层充填于第一通道内并成功的形成在第二欧姆接触电极上。因为两个接合金属层具有相同的高度，因此所产生的发光二极管结构能更方便的适用于覆晶结构中。美国专利公告第6，998，642号，揭露了一种具有二个发光二极管在串联状态下的半导体结构。上述半导体结构包括了两个具有相同堆迭结构的发光二极管，并且借由绝缘沟槽使两者隔离。上述堆迭结构从底部起形成一导热基材；一绝缘保护层；一金属粘着层；一反射保护层；一 P型欧姆连接磊晶层；一上披覆层；一作用层以及一下披覆层。属于两个发光二极管的两个P型欧姆接触金属电极，被形成于一个介于反射保护层及欧姆接触磊晶层间的介面上，并且被埋设于反射保护层内。然而美国专利公告第6，853，011号虽然可以应用于覆晶结构中，但若无第二基材(submount)，则无法进行两个发光二极管间的连接，且在作覆晶工艺时，需要处理多个芯片，增加工艺复杂度。美国专利公告第6，998，642号虽然可以进行两颗发光二极管间的电性连接，但是利用金属进行接合，必须借由复杂的工艺方能达成，因此在生产效能及成本上均易产生问题。以上现有习知技术，使用的发光二极管大多是以非晶圆级工艺制造的一般二极管，并且未考量到将多颗发光二极管进行串联、并联或串并联以符合使用的需求，因此如何达到以简单便利的方式制造高电压交流的发光二极管实为一重要课题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的，在于克服现有的发光二极管存在的缺陷，而提供一种高电压交流发光二极管结构，所要解决的技术问题是，制作出体积小的高电压交流发光二极管结构。本专利技术的目的与所要解决的技术问题是通过以下的技术方案实现:本专利技术提供一种高电压交流发光二极管结构，其包括:电路基板；以及多个高压LED芯片。高压LED芯片包括:第一基材；粘着层；第一欧姆连接层；磊晶层；第一绝缘层；至少两第一导电板；至少两第二导电板；以及第二基材。本专利技术是要以晶圆级工艺的高压LED芯片结合较低成本的电路基板，以制作出体积小的高电压交流发光二极管结构。本专利技术提供一种高电压交流发光二极管结构，其包括:一电路基板；以及多个高压LED芯片，固设且电性连接于该电路基板上并借由该电路基板使上述高压LED芯片形成一串联电路，又每一该高压LED芯片包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面；一粘着层，形成于该第一表面上；至少两第一欧姆连接层，形成于该粘着层上；至少两磊晶层，任两该磊晶层间形成有一第一沟槽，每一该磊晶层具有:一下披覆层，形成于一该第一欧姆连接层上；一作用层，形成于该下披覆层上；以及一上披覆层，形成于该作用层上；一第一绝缘层，覆盖于每一该第一欧姆连接层及每一该上披覆层其裸露的表面，且形成于任两该第一欧姆连接层间，该第一绝缘层于每一该上披覆层及每一该第一欧姆连接层其裸露部处，分别形成有一第一开孔及一第二开孔；至少两第一导电板，分别形成于每一该第一开孔内，且电性连接于一该上披覆层；至少两第二导电板，分别形成于每一该第二开孔内，且电性连接于一该第一欧姆连接层；以及一第二基材，其具有一第三表面，该第三表面形成有至少两第三导电板及至少两第四导电板，又该第二基材形成有多条电路结构，用以电性连接上述第三导电板及上述第四导电板，且每一该第三导电板及每一该第四导电板分别借由焊点电性连接于相对应的该第一导电板及该第二导电板，又该第一基材为一透明基材且该粘着层为一透明粘着层，且该第三表面上于该第三导电板及该第四导电板以外的部位形成有一反射层。本专利技术的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该电路基板为一铝基板或一陶瓷基板。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该陶瓷基板内设有多条导热柱或多条导电柱。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中任两该高压LED芯片进一步相互并联，使该串联电路又进一步具有一并联电路。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该串联电路进一步又并联至少一该串联电路。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其进一步包括一第一导体层，其形成有至少一导体并覆盖于该第一绝缘层上，且每一该导体的两端分别电性连接于不同单元的该第二导电板或该第一导电板。本专利技术又提供一种高电压交流发光二极管结构，其包括:一电路基板；以及多个高压LED芯片，固设且电性连接于该电路基板上并借由该电路基板使上述高压LED芯片形成一串联电路，又每一该高压LED芯片包括:一第一基材,具有一第一表面及一第二表面；一粘着层，形成于该第一表面上；至少两第一欧姆连接层，形成于该粘着层上；至少两磊晶层，每一该磊晶层具有:一下披覆层，形成于一该第一欧姆连接层上；一作用层，形成于该下披覆层上；一上披覆层，形成于该作用层上以及一第二沟槽，垂直贯穿该上披覆层及该作用层，又局部贯穿该下披覆层；一第二绝缘层，覆盖于每一该上披覆层上，并形成于任两该磊晶层及任两该第一欧姆连接层间，该第二绝缘层于该上披覆层上及该第二沟槽内侧，分别形成有一第三开孔及一第四开孔；至少两第五导电板，分别形成于每一该第三开孔内，且电性连接于一该上披覆层；以及至少两第六导电板，分别形成于每一该第四开孔内，其具有向下延伸的一延伸部，该延伸部垂直贯穿该磊晶层，且电性连接于该第一欧姆连接层。本专利技术的目的以及解决其技术问题还可以采用以下的技术措施来进一步实现。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该电路基板为一铝基板或一陶瓷基板。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该陶瓷基板内设有多条导热柱或多条导电柱。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中任两该高压LED芯片进一步相互并联，使该串联电路又进一步具有一并联电路。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该串联电路进一步又并联至少一该串联电路。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该第二沟槽内形成有该第二绝缘层。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该第一基材为一透明基材及该粘着层为一透明粘着层，且该第二表面上形成有一反射层。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该粘着层为一透明粘着层，且该第一基材与该粘着层间形成有一反射层。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于进一步包括一第二基材，其具有一第三表面，该第三表面形成有至少两第三导电板及至少两第四导电板，又该第二基材形成有多条电路结构，用以电性连接上述第三导电板及上述第四导电板，且每一该第三导电板及每一该第四导电板，分别借由焊点电性连接于相对应的该第五导电板及该第六导电板，又该第一基材为一透明基材且该粘着层为一透明粘着层。前述的高电压交流发光二极管结构，其特征在于其中该第二基材上，在上述第三导电板及上述第四导电板以外的部位形成有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高电压交流发光二极管结构，其特征在于其包括：一电路基板；以及多个高压LED芯片，固设且电性连接于该电路基板上并借由该电路基板使上述高压LED芯片形成一串联电路，又每一该高压LED芯片包括：一第一基材，具有一第一表面及一第二表面；一粘着层，形成于该第一表面上；至少两第一欧姆连接层，形成于该粘着层上；至少两磊晶层，任两该磊晶层间形成有一第一沟槽，每一该磊晶层具有：一下披覆层，形成于一该第一欧姆连接层上；一作用层，形成于该下披覆层上；以及一上披覆层，形成于该作用层上；一第一绝缘层，覆盖于每一该第一欧姆连接层及每一该上披覆层其裸露的表面，且形成于任两该第一欧姆连接层间，该第一绝缘层于每一该上披覆层及每一该第一欧姆连接层其裸露部处，分别形成有一第一开孔及一第二开孔；至少两第一导电板，分别形成于每一该第一开孔内，且电性连接于一该上披覆层；至少两第二导电板，分别形成于每一该第二开孔内，且电性连接于一该第一欧姆连接层；以及一第二基材，其具有一第三表面，该第三表面形成有至少两第三导电板及至少两第四导电板，又该第二基材形成有多条电路结构，用以电性连接上述第三导电板及上述第四导电板，且每一该第三导电板及每一该第四导电板分别借由焊点电性连接于相对应的该第一导电板及该第二导电板，又该第一基材为一透明基材且该粘着层为一透明粘着层，且该第三表面上于该第三导电板及该第四导电板以外的部位形成有一反射层。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘敬仁，郑为太，陈明鸿，
申请(专利权)人：海立尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：