半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N－型漂移层（1）的下侧设置有N+型阴极层（3）。在N－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有第1短寿命层（4）。在N－型漂移层（1）与N+型阴极层（3）之间设置有第2短寿命层（5）。载流子在第1短寿命层（4）及第2短寿命层（5）中的寿命τ2短于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ2＜τ1)。在N+型阴极层（3）中的寿命τ3长于在N－型漂移层（1）中的寿命τ1(τ1＜τ3)。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及作为构成功率模块的器件之一的二极管，特别涉及能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压的半导体装置。
技术介绍
作为二极管的重要特性的反向恢复功耗和载流子寿命之间存在关联性。例如，使结晶缺陷增加而缩短寿命时，反向恢复功耗减少。因此，为了得到具有任意反向恢复功耗的二极管，使用了一种技术，该技术利用电子束照射导入结晶缺陷来控制整个装置的寿命。另外，也提出了通过在N型漂移层与P型阳极层之间部分地导入结晶缺陷而设置了载流子寿命较短的短寿命层的二极管(例如，参照专利文献I)。专利文献 专利文献1:日本特开2003-249662号公报。为使反向恢复功耗降低而缩短整个装置的寿命时，反向恢复时的电流减少率因结晶缺陷的增加而变大，且成为振荡噪声原因的浪涌电压增加。还有，泄漏电流因结晶缺陷的增加而增加，耐压降低。另外，因为尾电流减少时的电流减少率增加，所以浪涌电压增加。在短寿命层只设置于N型漂移层与P型阳极层之间的情况下，存在反向恢复电流的峰值减少、反向恢复电流减少率降低这一优点，但存在耐压降低、反向恢复功耗增加这一缺点。
技术实现思路
本专利技术是为解决上述的课题而做出的，其目本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，具备：N型漂移层；P型阳极层，其设置在所述N型漂移层上侧；N型阴极层，其设置在所述N型漂移层下侧；第1短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述P型阳极层之间；第2短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述N型阴极层之间；其特征在于，载流子在所述第1短寿命层及第2短寿命层中的寿命短于在所述N型漂移层中的寿命；在所述N型阴极层中的寿命长于在所述N型漂移层中的寿命。

【技术特征摘要】
2011.10.12 JP 2011-2245171.一种半导体装置，具备N型漂移层；P型阳极层，其设置在所述N型漂移层上侧；N型阴极层，其设置在所述N型漂移层下侧；第I短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述P型阳极层之间；第2短寿命层，其设置在所述N型漂移层与所述N型阴极...

【专利技术属性】
技术研发人员：加地考男，吉浦康博，增冈史仁，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：