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本发明的课题在于得到一种半导体装置，其能够在降低反向恢复功耗的同时提高耐压并抑制浪涌电压。在N－型漂移层（1）的上侧设置有P型阳极层（2）。在N－型漂移层（1）的下侧设置有N+型阴极层（3）。在N－型漂移层（1）与P型阳极层（2）之间设置有...
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