一种硅片抛光系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种硅片抛光系统，包括：掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽、吹干槽及用于传输硅片的传送机构；所述掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽及吹干槽依次相连。采用本实用新型专利技术，可以在保证不损害硅片前表面绒面的情况下，对硅片后表面进行抛光处理，增加了后表面对未吸收太阳光谱中的长波反射，减小硅片与后表面的接触面积，达到减少后表面电子、空穴复合量，提高了晶硅太阳电池的光电转换效率，结构简单，满足用户的需求。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及晶硅太阳电池制作领域，尤其涉及一种硅片抛光系统。
技术介绍
太阳能电池是一种利用光生伏打效应把光能转换成电能的器件，在光电转换过程中，损耗主要为:光损耗和电损耗。而对于晶硅太阳电池，光损耗主要来自前表面的反射损失和后表面的长波反射损耗，电损耗主要来自光子激发的电子、空穴对复合及电阻功率损耗。目前，在晶硅太阳电池的制绒工序中，整个硅片被完全浸没在碱或酸的制绒槽中，使硅片前、后表面都被制绒，这对晶硅太阳电池非常不利，限制了晶硅太阳电池光电转换效率，其原因是:1、后表面因绒面而导致起伏不平，减弱了后表面与铝浆所形成的反射面对长波的反射作用，使部分长波穿过铝背场而损耗；2、增加了后表面的接触面积，由于后表面是采用铝背场结构，其表面复合速率一般高达500cm/s，增加后表面接触面积将增大电子、空穴的复合。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题在于，提供一种结构的硅片抛光系统，可有效地实现对娃片的局部抛光。为了解决上述技术问题，本技术提供了一种硅片抛光系统，包括:掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽、吹干槽及用于传输硅片的传送机构；所述掩膜台、烘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅片抛光系统，其特征在于，包括：掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽、吹干槽及用于传输硅片的传送机构；所述掩膜台、烘干箱、抛光槽、第一漂洗槽、去掩膜槽、第二漂洗槽、碱洗槽、第三漂洗槽及吹干槽依次相连。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海平，班群，方结彬，何达能，陈刚，
申请(专利权)人：广东爱康太阳能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44