一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法技术

本发明专利技术公开一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。本发明专利技术的优点在于：以器件内自建图形的方法代替器件外二次外延，大大降低了侧向外延技术的生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电子
，涉及半导体器件，是一种新型AlN材料的制作方法，可用于通信领域，红外、紫外探测领域及白光照明领域。
技术介绍
近十年来，以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物半导体材料与器件发展迅猛，被称为继以硅为代表的第一代半导体、以砷化镓为代表的第二代半导体后的第三代半导体。GaN作为直接带隙的宽禁带半导体材料，可与氮化铟(InN)，氮化铝(AlN)形成禁带宽度连续可变的三元或四元固溶体合金铟镓氮(InGaN)、铝镓氮(AlGaN)和铝铟镓氮(AlInGaN),其对应的波长覆盖了从红外到深紫外光范围，在光电子领域具有极大的应用前景。目前，通过GaN及其固溶体合金材料，已经制作了覆盖紫外到白光发光二极管、半导体激光器、高频高功率的高电子迁移率晶体管等各类器件，广泛应用于通信、紫外探测、红外探测、白光照明等领域。III族氮化物材料在常温下具有稳定的纤锌矿结构，不具有中心反演对称性，并且III族元素的原子和N原子的电负性相差很大，导致III族氮化物及其异质结在方向具有很强的自发极化和压电极化。目前，III族氮化物的研究主要是在极性c面上开展的，然而如前所述，c面上存在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。

【技术特征摘要】
1.一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤:1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料。2.根据权利要求1所述一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其特征在于:A1N材料是脉冲原子沉积法和普通生长方法交...

【专利技术属性】
技术研发人员：张骏，田武，吴峰，戴江南，陈长清，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：