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本发明公开一种利用AlInN自图形化模板提高a面AlN质量的方法，其步骤：1)在蓝宝石衬底上生长AlInN薄层；2)在AlInN薄层上生长一层薄的低温AlN层；3)高温退火获得自图形化AlN缓冲层；4)在自图形化AlN缓冲层上生长AlN材料...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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