一种太阳电池背面处理方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳电池背面处理方法，包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火；5）采用PECVD在硅片上表面沉积氮化硅薄膜；以及6）在硅片上下表面采用丝网印刷方式进行表面金属化，经高温烧结后完成电池的制备。本发明专利技术的方法生产成本低，易实现工业化大批量生产，与现有常规生产工艺兼容、操作简单、效率提升空间大，能有效提高太阳电池的短路电流和开路电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳电池
，具体涉及ー种太阳电池制备过程中的背面处理工艺。
技术介绍
探索太阳电池的新エ艺来降低成本，同时提高转换效率，是当前光伏业的两大目标。硅片背表面的复合对太阳电池效率的影响较大，随着硅片厚度的不断减薄，硅片背表面的复合速率对太阳电池效率的影响将越来越突出。传统的太阳电池的背面处理采用印刷铝浆的方法，经过高温烧结后形成铝背场。一方面铝与硅基底形成铝硅共金P+层，有利于增大开路电压；另一方面金属铝背场是优良的背反射器，能把穿过电池上表面的长波段光反射回硅基底，增强光吸收。该エ艺具有易于エ业化生产，操作简单等优点。然而，铝背场使太阳电池整个背面形成金属-半导体界面，该界面具有很高的少子复合速率，造成太阳电池的短路电流不高，新开发的点接触方式背电极技术如激光烧结开孔、光刻开孔、丝网印刷腐蚀性浆料开孔等，容易造成欧姆接触不良，而且激光和光刻技术都比较昂贵，产业化成本较高。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的是提供一种简便的太阳电池背面处理方法，该方法生产成本低，易实现エ业化大批量生产，与现有常规生产エ艺兼容、操作简单、效率提升空间大，能有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳电池背面处理方法，其特征在于包括以下步骤：1）采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜；2）对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒；3）采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散；4）扩散后的硅片进行退火处理；5）采用PECVD在硅片上表面沉积氮化硅薄膜；以及6）在硅片上下表面采用丝网印刷方式进行表面金属化，经高温烧结后完成电池的制备。

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池背面处理方法，其特征在于包括以下步骤: 1)采用磁控溅射的方法在多晶硅片的一面镀上铝膜； 2)对上述镀上铝膜后的多晶硅片进行酸制绒； 3)采用离子注入的方法对制绒后的硅片进行磷扩散； 4)扩散后的硅片进行退火处理； 5)采用PECVD在硅片上表面沉积氮化硅薄膜；以及 6)在硅片上下表面采用丝网印刷方式进行表面金属化，经高温烧结后完成电池的制备。2.根据权利要求1所述的太阳电池背面处理方法，其特征在于:步骤1)，在多晶硅片的一面镀上铝膜的エ艺条件是:腔体气压0.1 IPa，温度200 300°C，工作电流I 2A，溅身寸时间10 30min。3.根据权利要求2所述的太阳电池背面处理方法，其特征在于:所述铝膜的厚度为0.1 10 u m。4.根据权利要求1所述的太阳电池背面处理方法，其特征在于:步骤2)中，酸制绒エ艺中，HNO3和HF的体积比在2:1 5:1，制绒时间为30 120s，反应液温度在4 10°C。5.根据权利要求1所述的太阳电池背面处理方法，其特征在于:步骤3)中，磷扩散エ艺条件是:加速管低真空在10 1000毫托，加热电炉功率为220...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖键均，艾斌，贾晓洁，许欣翔，杨江海，
申请(专利权)人：中山大学，
类型：发明
国别省市：