【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池制作领域，具体涉及一种高效太阳能电池的制备方法。
技术介绍
晶硅太阳能电池片的制造工艺一般有如下几个步骤:化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结。晶硅太阳能电池扩散制结一般采用有源沉积和无源推进两步扩散实现，有源沉积控制掺杂总量，无源推进控制表面浓度和结深；沉积减反射氮化硅膜实现表面的减反射和钝化。扩散制结制程因硅片表面存在一层磷硅玻璃，导致扩散后发射极表面浓度较高，表面复合较严重；氮化硅膜吸杂钝化效果较差。综上两种因素，导致晶硅电池的Uoc和Isc较低，导致晶硅电池转换效 率较低。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述缺陷而提供，该方法是在常规太阳能电池的制造过程中的去PSG制程后增加一步氧化制程并搭配调整扩散制程工艺，以在硅片表面形成一层二氧化硅吸杂钝化层并使电池N型层杂质进行二次分布，以减少电池表面和N型层复合，使电池产生较高的Uoc和I sc，提升了电池的转换效率。本专利技术的，包括化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结步骤，在去磷硅...
【技术保护点】
一种高效太阳能电池制备方法，包括化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结步骤，其特征在于，在去磷硅玻璃制程后对硅片进行氧化，在硅片表面形成一层二氧化硅钝化层。
【技术特征摘要】
1.一种高效太阳能电池制备方法，包括化学清洗及表面织构化处理、扩散制结、边缘刻蚀和去磷硅玻璃、沉积减反射膜、印刷电极、烧结步骤，其特征在于，在去磷硅玻璃制程后对硅片进行氧化，在硅片表面形成一层二氧化硅钝化层。2.根据权利要求1所述的一种高效太阳能电池制备方法，其特征在于:扩散后N型层方阻为 70ohm/ □ 95ohm/ 口。3.根据权利要求2所述的一种高效太阳能电池制备方法，其特征在于:扩散后N型层方阻为 75ohm/ □ 90ohm/ 口。4.根据权利要求1所述的一种高效太阳能电池制备方法，其特征在于:氧化后N型层方阻为 65 ohm/ □ 85 ohm/ 口。5.根据权利要求1所述的一种高效太阳能电池制备方法，其特征在于:扩散制结工艺步骤为一步沉积，沉积温度为750°C 850°C，沉积气氛为氮气、三氯氧磷和氧气的混合气体，气体流量依次为4slm 15slm、500sccm 2000sccm、IOOsccm 2000sccm,沉积时间为5min 25min。6.根据权利要求1所述的一种高效太阳能电池制备方法，其特征在于:扩散制结工艺步骤分为沉积、推进，沉积温度为750°C 840°C，推进温度为790°C 850°C，沉积气氛为氮气、三氯氧磷和氧气的混合气体，气体流量依次为4slnTl5slm、500sccnT2000sccm、100sccnT2000sccm,推进气氛为氮气和氧气混合气体，气...
【专利技术属性】
技术研发人员：李源伟，仲伟佳，高成明，李秉霖，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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