【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池制作
，具体涉及。
技术介绍
在各种太阳电池中，晶体硅电池一直占据着最重要的地位。近年来，在晶体硅太阳电池提高效率和降低成本方面取得了巨大成就和进展，进一步提高了它在未来光伏产业中的优势地位。发射极作为太阳能电池的核心组成部分，其表面掺杂浓度将直接影响太阳电池的转化效率。太阳电池对发射极有两个要求:1.掺杂浓度不能过高，2.表面浓度不能过低。目前，常规的扩散方式制作的发射极无法同时兼顾以上两种要求。通常，如果掺杂浓度不能过高，俄歇复合会大大增加，在发射区形成的少数载流子很容易复合，造成短波响应下降；如果降低表面浓度，结深也会变浅，，薄层电阻较高，发射极的电阻必然加大，从而增加了在发射区中向栅线电极运动电流的电阻，在后续的电极烧结过程中增加了 PN结烧穿的几率，降低了电池良率。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对上述问题提供的，采用该方法可以有效的提高电池的光电转化效率。本专利技术的采用的技术方案，步骤包括: O将制绒后的娃片表面制作结深为0.1-0.3微米的发射极,方阻为50_90ohm/sq ； 2)将步骤I所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除； 3)将步骤2所得硅片进行高温退火； 4)将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。步骤I中发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750-850°C，时间为10-30min ;将扩散炉温度升至800-900°C，温度稳定后，扩散结推进 5_30mino步骤3中氧化过程为将娃片置入氧化炉中，通入大氮,保持温度800-900...
【技术保护点】
低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括：1）将制绒后的硅片表面制作结深为0.1?0.3微米的发射极，方阻为50?90ohm/sq；2）将步骤1所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除；3）将步骤2所得硅片进行高温退火；4）将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。
【技术特征摘要】
1.高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，步骤包括: 1)将制绒后的娃片表面制作结深为0.1-0.3微米的发射极,方阻为50_90ohm/sq ； 2)将步骤I所得硅片进行周边刻蚀、磷硅玻璃去除； 3)将步骤2所得硅片进行高温退火； 4)将步骤3所得硅片再依次采用沉积氮化硅膜、丝印正反面电极和背铝、烧结。2.根据权利要求1所述的低高低掺杂浓度的发射极结构的太阳能电池制作方法，其特征在于:步骤I中发射极制作过程为将硅片置入扩散炉中，同时通入大氮、小氮、氧气，保持温度750-850°C，时间为10-30min ;将扩散...
【专利技术属性】
技术研发人员：任现坤，李秉霖，姜言森，张春艳，程亮，贾河顺，徐振华，
申请(专利权)人：山东力诺太阳能电力股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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