【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种太阳能电池硅片的抛光方法，其特征在于，包括以下步骤：??（a）对未抛光的太阳能电池硅片进行预清洗，并配制抛光溶液，所述抛光溶液为添加有表面活性剂的碱溶液；??（b）将步骤（a）中所配制的抛光溶液加热到80~100℃，并将预清洗过的太阳能电池硅片浸入该加热后的抛光溶液中进行抛光处理，所述抛光处理的时间为90~200秒；??（c）对步骤（b）中得到的抛光后的太阳能电池硅片进行酸洗、水洗和干燥。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：安子凤，牛春晓，刘古岩，吴卫伟，黄高山，熊军，王雅男，
申请(专利权)人：昊诚光电太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：
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