本发明专利技术涉及一种低微管100mm碳化硅晶片。公开了一种直径至少约100mm并且微管密度小于约25cm-2的高质量SiC单晶晶片。
【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种形成具有高质量单晶的SiC的晶片的方法，该方法包括：用抛光的单晶SiC籽晶晶片形成直径至少100mm的SiC晶锭；和将晶锭切割为每个晶片表面的微管密度小于约25cm?2的晶片。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安波维尔，马克布莱德，罗伯特泰勒莱昂纳德，
申请(专利权)人：科锐，
类型：发明
国别省市：
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