有色碳硅石宝石及其制备方法技术

本发明专利技术涉及有色碳硅石宝石及其制备方法。所述有色碳硅石宝石是在6H-SiC或4H-SiC中掺杂有不同类型的杂质元素，所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种。有色碳硅石宝石的制备方法，将籽晶置于坩埚的上盖底部，将高纯SiC粉料或掺入掺杂剂的SiC粉料置于坩埚底部，生长室压力在50～120mbar，升温2000～2500℃采用升华法生长。本发明专利技术的方法制备的有色碳硅石宝石颜色均一，透明度好。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
有色碳硅石宝石，是在6H?SiC或4H?SiC中掺杂有不同类型的杂质元素，所述杂质元素包括背景杂质元素N、B、Al，和/或故意掺杂的杂质元素Ti、V、Ni、N、Ce之一种或2种；所述的红色系碳硅石是在6H?SiC中掺杂有Ni杂质元素，Ni杂质以1×1019/cm3～1×1020/cm3的原子浓度存在于碳硅石晶体中；所述的绿色系碳硅石宝石是在6H?SiC中掺杂有N杂质元素，N杂质以2×1017～2×1020/cm3的原子浓度存在于碳硅石晶体中；所述的咖啡色系碳硅石宝石是在4H?SiC中掺杂有V和Ce杂质元素，其中V杂质以1×1016/cm3～1×1018/cm3的原子浓度存在于碳硅石晶体中，Ce...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐现刚，付芬，胡小波，魏汝省，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：