具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚制造技术

本发明专利技术属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明专利技术中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明专利技术具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明专利技术中，同一生长周期可以同时生长多个碳化硅单晶体。采用本发明专利技术的坩埚设计来生长碳化硅单晶，可以有效提高生长效率、节约生长时间、压缩晶体成本。与传统方法相比较，同样的设备配置前提下，将单晶生长效率提高2～3倍。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚，其特征在于，所述坩埚是多生长腔结构。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：忻隽，孔海宽，严成峰，刘熙，肖兵，杨建华，施尔畏，
申请(专利权)人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：