本发明涉及一种有机/无机复合闪烁体及其制备方法，所述有机/无机复合闪烁体的制备方法包括：（1）将发光杂质、移波剂和塑料聚合单体进行混合，得到混合溶液1；（2）将所得混合溶液1置于保护气氛中，然后在40～70℃下预聚合50～100小时，得...

本发明涉及一种钼酸锂粉体的制备方法，所述钼酸锂粉体的化学式为Li2MoO4，该制备方法包括：（1）按照钼酸锂的化学计量比称取Li2CO3粉末和MoO3粉末作为原料粉体，并量取适量去离子水；（2）将Li2CO3粉末、MoO3粉末和去离子水...

本发明涉及一种强吸电子元素掺杂稀土正硅酸盐闪烁材料及其制备方法和应用，所述强吸电子元素掺杂稀土正硅酸盐闪烁材料的化学式为：RE

本发明提供一种桥式晶体散热块。包括：主体部，所述主体部具备沿其长度延伸的光路区域；桥墩部，从所述主体部的光路区域的中后端的两侧分别向上突出；通孔，分别设于所述桥墩部。可有效避免装配过程中的晶体开裂、实现小型和微型化极限尺寸。

本发明涉及一种射线纯碘化钠粉体及制备方法，该制备方法包括：（1）将NaI粉体或NaI晶体溶于纯水中，形成NaI饱和溶液，所述NaI粉体或NaI晶体的纯度至少为99.5%；（2）在所得NaI饱和溶液加入水合肼，形成NaI碱性溶液；（3）利...

本发明涉及一种具有多孔陶瓷结构的水系离子电池极片的量产方法，包括：步骤 1）以水系离子电池电极使用的陶瓷粉体和无机碳源导电剂为原料粉体，使用无水乙醇作为溶剂，加入有机系粘结剂，球磨制得均匀浆料；步骤 2）将所述浆料使用离心喷雾干燥设备进...

本发明涉及一种基于聚四氟乙烯粘结剂的水系离子电池的极片成型方法，包括：步骤 1）以水系离子电池电极使用的陶瓷粉体和无机碳源导电剂为原料，使用水作为溶剂，加入聚四氟乙烯作为粘结剂，球磨制得均匀浆料；步骤 2）将所得浆料进行过滤得到滤饼，将...

本发明提供一种粉体自动称量设备，包括：储料斗，所述储料斗的下方依次设置的物料传输通道，和重量感应装置；所述重量感应装置形成为如下结构：接收所述物料传输通道输送的粉体并进行称重，且在所述粉体的重量达到预先设定的重量时发送信号至所述物料传输...

本发明涉及一种低成本碳包覆的磷酸钛化合物批量制备的方法，所述磷酸钛化合物的化学式为MxTi2（PO4）3，其中M选自碱金属中的至少一种，x=1～1.05，所述方法包括：步骤 1）以化学计量比的碱金属源、磷源、钛源和碳源为原料，湿法球磨制...

本发明涉及一种基于(TiO)

本发明公开了一种非真空下降法生长氟化铈晶体的方法，其包括如下步骤：a)使氟化铈粉体与聚四氟乙烯粉体按质量比为100:(1～5)混匀；b)将步骤a)得到的混合粉体进行真空干燥；c)将步骤b)得到的干燥混合粉体装入坩埚中，在非真空条件下，以...

本发明涉及一种高温测试夹具，所述夹具包括：至少三个平行设置的贵金属电极，相邻的两个贵金属电极用于夹持待测样品；一端与所述贵金属电极连接的贵金属导线，所述贵金属导线的另一端连接至测试装置以通过贵金属电极将待测样品产生的测试信号传递给所述测...

本发明涉及一种大尺寸氧化镓单晶的生长方法及生长装置，该方法包括：在单晶炉内安装用于加热和保温形成热场的多个热场部件，其水平同中心安装；将内嵌有铱金模具的带盖铱金坩埚放入热场中心；将特定取向的β-Ga2O3籽晶固定于籽晶夹具；将氧化镓原料...

本发明提供一种高纯碳化硅原料的制备方法，所述方法包括如下步骤：提供高纯硅粉和高纯碳粉；所述高纯硅粉和高纯碳粉充分混合后放置于坩埚，于1400-2200℃的高温炉中形成一次碳化硅料，所述一次碳化硅料压碎后在氧化炉中经过600-1400℃的...

本发明涉及一种超硬半导体材料抛光方法，通过参数非常接近的粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程，可使被加工的超硬半导体材料获得极低表面粗糙度且具有原子台阶表面。本发明仅使用三个工艺，大大简化了超硬材料的抛光流程，降低了成本，保证了加工...

本发明涉及一种共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用，所述闪烁晶体的化学组成为(Cs1-x-yTlxREy)(I1-yX3y)或者(Cs1-x-yTlxYby)(I1-yX2y)，其中三价共掺杂元素RE选自三价镧（La）、镥（Lu...

本发明提供一种PVT法生长SiC晶体的籽晶固定方法，包括，将所述籽晶晶片边缘通过粘结剂粘接于具有一定宽度以能可靠粘结固定所述籽晶的环形连接件的一端面；将所述连接件套装在端部周边边缘开槽、且所述槽尺寸与所述连接件匹配的籽晶托上，使所述连接...

本发明公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过其利...

本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种用于物理气相输运技术生长碳化硅单晶的坩埚结构，具体涉及具有多生长腔的生长碳化硅单晶的坩埚。本发明中坩埚的料腔结构采用多生长区统一料腔设计。本发明具有以下特点：采用多生长区、统一料腔设计。在本发明中，同...

本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种快速获得具有原子台阶表面的SiC晶片抛光方法。本发明在化学机械抛光阶段引入氧化剂，通过粗抛、精抛、化学机械抛光三个抛光工艺流程即可使被加工的SiC晶片获得具有原子台阶表面。该抛光工艺仅使用三个工...