本发明涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本发明将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用，...

本发明涉及晶体生长技术领域，具体涉及一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体是一种适用物理气相输运法生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明将坩埚盖加工成双层壁结构，中间为夹心空层。然后将特制外形的保温材料(完全贴合整...

本发明属于晶体生长技术领域，涉及大尺寸碳化硅单晶生长装置，具体是一种物理气相输运法(PVT)生长大尺寸SiC单晶的装置。该装置具体涉及一种使用PVT技术生长碳化硅单晶的坩埚结构。本发明在坩埚盖上表面开个球面孔，然后将完全贴合整个孔的特制...

本发明涉及用于高温压电器件的掺杂型钽酸镓镧晶体及其制备方法。所述掺杂型钽酸镓镧(M-LGT)晶体通式为y％M:La3Ta0.5+xGa5.5-xO14，其中：-0.3≤x≤0.3，0≤y≤2，掺杂元素M为Ba、Mo和Al中的至少一种。该...

本发明涉及化学气相沉积领域，具体涉及一种碳化硅化学气相外延载物台装置，该装置是分体式载物台装置，包括船型石英舟、石英托垫和石墨板。其中，船型石英舟前端为倾斜面，该倾斜面后为下凹平台面；石英托垫放置于石英舟下凹平台面上；石墨板放置于石英托...

本发明涉及一种宽板状锗酸铋闪烁晶体材料及其在辐射探测领域中的应用。所述宽板状锗酸铋闪烁晶体材料的截面面积不小于24,000mm2，其长度范围为400-800mm，宽度范围为60-500mm，厚度范围为1-100mm。本发明的宽板状锗酸铋...

本实用新型公开一种适用于PVT法生长SiC晶体系统的测温结构，所述系统具有用坩埚围成的晶体生长用晶体生长室，配置于生长室室内顶部的籽晶托，和在所述晶体生长室外围的保温层；所述的测温结构包括设置于生长室顶部的籽晶托上方的保温层上并能够通过...

本发明提供一种下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法。本发明通过改变生长装置中上隔砖7的形状以及活动调节生长装置的横向宽度和高温区的高度，并设计出超大尺寸的铂金坩埚和氧化铝引下坩埚，利用长晶体作为籽晶横向接种，调整均匀的横向温度场和...

本发明提供一种下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置和方法。所述生长锗酸铋晶体的装置包括炉体结构系统和辅助加热系统。在本发明中，通过炉体结构系统和辅助加热系统同时对晶体生长装置相应的梯度区和辅助加热区进行控温并调节，保证整个生...

本发明涉及一种高纯碳化硅粉体的高温固相合成方法，包括：配料工序：将高纯Si粉和高纯C粉混合均匀，其摩尔比为1：1～1.5：1；高真空热处理工序：将高纯Si和C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热炉的生长室抽高真空至9×10-4Pa以下...

本发明涉及一种具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜的成份符合化学式Zn1-x-yCrxGayO，其中0?≤x≤0.03，0≤y≤0.03。掺杂Cr和/或镓的ZnO基稀磁半导体薄膜...

本发明涉及一种用于碳化硅单晶生长的高纯碳化硅原料的合成方法，包括：配料工序：采用高纯Si粉和高纯C粉为原料，高纯Si粉和高纯C粉的摩尔比大于1∶1且在1.5∶1以下；预处理工序：将高纯Si粉和高纯C粉放入坩埚中，然后置于加热炉中，对加热...

本发明公开了一种生长氟氯化铅晶体的方法，是非真空坩埚下降法，通过在原料中添加脱氧剂、采用密闭的坩埚和组分配比的控制，充分解决了生长过程中的组分挥发与氧化问题，解决了氟氯化铅晶体不易制得的难题，获得了大尺寸、高质量的氟氯化铅单晶，所制得的...

本发明属于晶体生长领域，涉及一种用于生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法。所述生长高质量SiC晶体的籽晶粘结方法，包括如下步骤：（1）丝网印刷；（2）籽晶粘结；（3）将粘结籽晶和籽晶托的结粘结剂进行固化处理，其中，固化后的粘结剂层的厚度为...

一种碳化硅衬底用化学机械抛光液，其包含如下所示重量百分比的以下组分：磨料1～50重量％；螯合剂0.01～8重量％；表面活性剂0.01～10重量％；分散剂0.01～10重量％；氧化剂0.1～20重量％；其余均为去离子水。该抛光液对碳化硅衬...

本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方...

本发明涉及一种碳化硅晶体的定型定向的切割方法，至少包括：对多个碳化硅晶锭进行整形处理并滚圆至所需尺寸的预处理工序；以及将多个所得碳化硅晶锭依次粘接成一个整体后同时进行切割的切割工序。本发明将多个碳化硅晶锭粘接成一个整体，使碳化硅晶锭的总...

本发明属于闪烁晶体材料领域，具体涉及一种共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体及其制备方法，该共掺杂改性硼酸钆锂闪烁晶体的化学式为：Ｌｉ↓［６］Ｃｅ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］Ｇｄ↓［１－ｘ－ｙ］Ｂ↓［３］Ｏ↓［９－δ／２］Ｍ↓［δ］，其中，Ｍ选自以下元素中...

本发明公开了一种掺镱硼酸钆锂激光晶体及其制备方法，该掺镱硼酸钆锂激光晶体的化学式为Ｌｉ↓［６］Ｙｂ↓［ｘ］Ｇｄ↓［１－ｘ］Ｂ↓［３］Ｏ↓［９］，其中ｘ的值为０＜ｘ≤０．３。本发明还提供了所述掺镱硼酸钆锂激光晶体的制备方法，包括如下步骤：...

本发明公开了一种硼酸钆锂晶体的晶体生长方法，涉及晶体生长领域。该方法为将晶体生长原料采用提拉法生长，其中，所述硼酸钆锂晶体的化学式为Ｌｉ↓［６］Ｃｅ↓［ｘ］Ｇｄ↓［１－ｘ］Ｂ↓［３］Ｏ↓［９］，ｘ的取值范围是０＜ｘ≤０．１；采用提拉法生...