【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子工业和半导体材料
，具体涉及碳化硅，尤其是一种。
技术介绍
碳化硅晶体是第三代宽带隙半导体材料，和第一代硅、第二代砷化镓半导体材料相比，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、介电常数小、抗辐射性能强、化学稳定性好等优良的物理化学性质，以及与硅集成电路工艺兼容等特点，优良的性能使得碳化硅晶体成为制造高温、高频、大功率、抗辐射、不挥发存储器件及光电集成器件的优选材料，成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。碳化娃晶体通常采用物理气相传输法(physical vapor transport, PVT)进行生长，即高纯(电子级)的碳化硅粉料置于2000°C以上高温处，沿碳化硅籽晶方向有一温度梯度，使粉料与籽晶间有一个硅和碳组分的气相输运，实现在籽晶上定向生长碳化硅晶体。生产硅晶圆需要高纯度的硅材料一样，生产碳化硅晶圆也需要高纯度的碳化硅原料。制备碳化硅原料的方法有化学合成制备法和机械制备法，化学方法是将几种物质在一定条件下使之发生化学反应，再从反应产物中得到碳化硅纳米粉体。按初始原料的物态又可分为固相法(...
【技术保护点】
一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，其特征在于，所述固相合成方法包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈建军，王辉，孔海宽，忻隽，刘熙，肖兵，杨建华，施尔畏，
申请(专利权)人：上海硅酸盐研究所中试基地，中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：
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