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本发明涉及一种碳化硅晶体生长用高纯碳化硅原料的固相合成方法，包括采用高纯液态或溶胶状态的含硅有机物和高残炭率的有机物为原料、通过液相充分混合后干燥为固相态作为固相合成前驱体的前驱体处理工序。本发明将简单易得的有机物作为碳源和硅源来使用，因此...该专利属于上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。