一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，属于单晶生长领域。一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，包括生长室，其特征是：所述生长室采用下开盖方式，生长室的外部设置可上下移动的感应加热器，所述生长室的下部连接有大气隔离室，大气隔离室上设置有操作窗口，大气隔离室的一侧连接有过渡室，所述过渡室内设有去除杂质的加热装置，所述气隔离室、过渡室和生长室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室的下部还设有吸尘器接口。本实用新型专利技术用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，该装置能有效去除杂质，优化碳化硅生长环境，并且能够完成原位退火，有利于大尺寸碳化硅单晶生长。

【技术实现步骤摘要】

:本技术涉及一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，属于单晶生长领域。
技术介绍
:半绝缘SiC单晶抛光片是现阶段制备宽禁带固态微波器件的最佳衬底，此外对于功率器件、深亚微米器件也具有非常重要的作用。更重要的是，无论从电特性还是导热特性来讲，半绝缘SiC都是在光电和微波功率器件中具有重大应用前景的另一种宽禁带半导体材料。研宄人员通常在SiC晶体中引入深能级杂质钒，以形成深补偿能级，位于禁带中央附近，能够起到很好地束缚载流子的作用，目前只有掺钒的碳化硅表现出高阻特性；但是，钒掺杂的碳化硅也有一些问题:钒在SiC中溶解度很低，易于形成沉淀物，会导致微管等缺陷的形成，严重影响晶体质量，更重要的是，掺钒碳化硅衬底中的深俘获中心影响高频大功率器件的功率输出，因此制备高纯半绝缘碳化硅单晶成为目前研宄的热点。高纯半绝缘单晶生长技术的关键是去除晶体中的B、N这两种杂质，B是与石墨共生的杂质，而石墨坩祸、保温材料、SiC源料都会吸附N，因此去除这两种杂质有一定的困难。文献资料显示，晶体生长过程中所不希望的N绝大多数来自装置及原料本身，研宄人员曾经试图通过使用高纯源料和不具有高氮含量的极纯设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于生长大尺寸高纯碳化硅单晶的装置，包括生长室(9)，其特征是：所述生长室(9)采用下开盖方式，生长室(9)的外部设置可上下移动的感应加热器，所述生长室(9)的下部连接有大气隔离室(1)，大气隔离室(1)上设置有操作窗口，大气隔离室(1)的一侧连接有过渡室(15)，所述过渡室(15)内设有去除杂质的加热装置，所述大气隔离室、过渡室和生长室上均设有保持内部环境处于保护气体状态或真空状态的机构，大气隔离室(1)的下部还设有吸尘器接口(22)。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：高玉强，宗艳民，宋建，王希杰，张红岩，
申请(专利权)人：山东天岳先进材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：山东;37