一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架制造技术

本实用新型专利技术涉及一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架上设有竖直排列的螺孔，所述螺孔通过螺钉与每一层感应线圈固定连接在一起，所述每一层感应线圈之间排列有支撑块，所述螺孔之间的孔间距与所述支撑块的高度相对应，使所述支撑块卡于每一层感应线圈之间。本实用新型专利技术通过配备高度不同的支撑块和更换孔间距不同的绝缘支架，在一定量范围内可调节感应线圈匝间距，不用拆卸感应线圈水路部分就完成感应线圈间距调节，同时保证感应线圈匝间距偏差很小，通电后线圈内部利于产生均匀的磁场。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

Induction coil insulation bracket for silicon carbide crystal growth

The utility model relates to an induction coil insulation support a silicon carbide crystal, the induction coil is made of copper wire spiral wound into the insulating bracket is provided with a screw hole are arranged vertically, the screw through screw and each layer induction coil is fixedly connected together, wherein each layer between the induction coils arranged in a support block, hole spacing between the screw and the support block height corresponding to the support block between each layer of the induction coil. The utility is equipped with highly different supporting block and change the hole model through the distance between different insulation bracket, adjustable induction coil winding space in a certain range, without removing the induction coil waterway part completed induction coil spacing adjustment, at the same time ensure the induction coil spacing deviation is small, energized coil to produce uniform the magnetic field.

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种感应线圈绝缘支架，尤其涉及一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架。
技术介绍
碳化硅晶体(SiC)半导体材料是继第一代元素半导体材料(Si)和第二代化合物半导体材料(GaAs、GaP、InP等)之后发展起来的第三代宽带隙(Wide Band-gapSemiconductor, WBS)半导体材料的代表。与前两代半导体材料相比，SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度以及极好的化学稳定性等特点，在光电子和微电子领域，具有巨大的应用潜力。碳化硅生长过程中需要2200度以上的高温，为减少接触性杂质掺入晶体，目前用感应加热实现，为此选用耐高温材料聚四氟乙烯做感应加热线圈的支架。感应加热线圈的支架用聚四氟乙烯制成，但支架间距不可调，影响磁场的空间分布的灵活调节。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，不用拆卸感应线圈就可以调节感应线圈匝间距，方便调节感应线圈的磁场分布。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架上设有竖直排列的螺孔，所述螺孔通过螺钉与每一层感应线圈固定连接在一起，所述每一层感应线圈之间排列有支撑块，所述螺孔之间的孔间距与所述支撑块的高度相对应，使所述支撑块卡于每一层感应线圈之间。本技术的有益效果是:本技术通过配备高度不同的支撑块和更换孔间距不同的绝缘支架，在一定量范围内可调节感应线圈匝间距，不用拆卸感应线圈水路部分就完成感应线圈间距调节，同时保证感应线圈匝间距偏差很小，通电后感应线圈内部利于产生均匀的磁场。在上述技术方案的基础上，本技术还可以做如下改进。进一步,所述绝缘支架由聚四氟乙烯材料制成。采用上述进一步方案的有益效果是聚四氟乙烯材料为应用高分子常用材料，耐高温，绝缘良好。同时，感应线圈外涂可凝固高分子材料，代表的为涂胶，来增强绝缘，防止线圈打火。进一步，所述感应线圈的铜线横截面为矩形，所述支撑块为矩形支撑块。采用上述进一步方案的有益效果是采用矩形的支撑块和铜线，可以更好的匹配，紧密的卡接在一起。进一步，所述支撑块的高度为3 15毫米。采用上述进一步方案的有益效果是通过不同规格的支撑块，使支撑块高度可变，同时更换绝缘支架，使绝缘支架孔间距也相应改变，从而调节感应线圈匝间距，影响感应线圈的磁场分布。附图说明图1为本技术俯视结构示意图；图2为本技术正视结构示意图。具体实施方式以下结合附图对本技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本技术，并非用于限定本技术的范围。如图1和图2所示，一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈I由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架2上设有竖直排列的螺孔4，所述螺孔4通过螺钉与每一层感应线圈I固定连接在一起，所述每一层感应线圈I之间设有支撑块3，所述螺孔4之间的孔间距与所述支撑块I的高度相对应，使所述支撑块3卡于每一层感应线圈I之间。通过配备高度不同的支撑块3和更换孔间距不同的绝缘支架2，在一定量范围内可调节感应线圈I匝间距，不用拆卸感应线圈I水路部分就完成感应线圈I间距调节，同时保证感应线圈I匝间距偏差很小，通电后感应线圈I内部利于产生均匀的磁场。所述绝缘支架2由聚四氟乙烯材料制成，聚四氟乙烯材料为应用高分子常用材料，耐高温，绝缘良好。同时，感应线圈I外涂可凝固高分子材料，代表的为涂胶，来增强绝缘，防止线圈打火。所述感应线圈I的铜线横截面为矩形，所述支撑块3为矩形支撑块。采用矩形的支撑块3和铜线，可以更好的匹配，紧密的卡接在一起。所述支撑块3的高度为3 15毫米。通过不同规格的支撑块3，使支撑块3高度可变，同时更换绝缘支架2，使绝缘支架2孔间距也相应改变，从而调节感应线圈I匝间距，影响感应线圈I的磁场分布。以上所述仅为本技术的较佳实施例，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。权利要求1.一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，其特征在于，所述感应线圈(I)由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架(2)上设有竖直排列的螺孔(4)，所述螺孔(4)通过螺钉与每一层感应线圈(I)固定连接在一起，所述每一层感应线圈(I)之间设有支撑块(3)，所述螺孔(4)之间的孔间距与所述支撑块(I)的高度相对应，使所述支撑块(3)卡于每一层感应线圈(I)之间。2.根据权利要求1所述碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，其特征在于，所述绝缘支架(2)由聚四氟乙烯材料制成。3.根据权利要求1所述碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，其特征在于，所述感应线圈(I)的铜线横截面为矩形，所述支撑块(3)为矩形支撑块。4.根据权利要求1至3任一项所述碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，其特征在于，所述支撑块(3)的高度为3 15毫米。专利摘要本技术涉及一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，所述感应线圈由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架上设有竖直排列的螺孔，所述螺孔通过螺钉与每一层感应线圈固定连接在一起，所述每一层感应线圈之间排列有支撑块，所述螺孔之间的孔间距与所述支撑块的高度相对应，使所述支撑块卡于每一层感应线圈之间。本技术通过配备高度不同的支撑块和更换孔间距不同的绝缘支架，在一定量范围内可调节感应线圈匝间距，不用拆卸感应线圈水路部分就完成感应线圈间距调节，同时保证感应线圈匝间距偏差很小，通电后线圈内部利于产生均匀的磁场。文档编号C30B29/36GK203065642SQ20132000527公开日2013年7月17日 申请日期2013年1月6日 优先权日2013年1月6日专利技术者段聪, 赵梅玉, 高宇, 邓树军, 陶莹 申请人:河北同光晶体有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅晶体生长用感应线圈绝缘支架，其特征在于，所述感应线圈（1）由铜线螺旋盘绕而成，所述绝缘支架（2）上设有竖直排列的螺孔（4），所述螺孔（4）通过螺钉与每一层感应线圈（1）固定连接在一起，所述每一层感应线圈（1）之间设有支撑块（3），所述螺孔（4）之间的孔间距与所述支撑块（1）的高度相对应，使所述支撑块（3）卡于每一层感应线圈（1）之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：段聪，赵梅玉，高宇，邓树军，陶莹，
申请(专利权)人：河北同光晶体有限公司，
类型：实用新型
国别省市：