【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种防爆器,尤其涉及一种碳化硅单晶炉真空管道上的防爆器。
技术介绍
在半导体器件的应用方面,随着碳化硅生产成本的降低,碳化硅单晶由于其优良的物理及电学性能而部分取代单晶硅,打破单晶硅由于材料本身性能的瓶颈,将给电子业带来革命性的变革。目前碳化硅单晶的主要应用领域有LED固体照明,高频率器件,高压功率元件和耐高温的集成电路芯片,这些应用给碳化硅单晶提供巨大的增长需求,同时晶体生长设备-单晶生长炉也随之需要飞速的发展。碳化硅单晶生长炉属于高压真空密封装置,对真空泄漏率的要求很高。由于其工作状态的特殊性,当炉内出现意外情况,例如漏水、误操作等,炉内气压瞬间成万倍数量级增长,严重时甚至会造成单晶炉体爆炸,危及生命财产安全。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种碳化硅单晶炉真空管道上的防爆器,克服现有技术中由于高压真空炉出现漏水或者意外误操作导致炉体内气压快速增大,由于泄压不及时可能导致炉体爆炸的危险的缺陷。本技术解决上述技术问题的技术方案如下:一种碳化硅单晶炉真空管道上的防爆器,包括法兰盘、O型密封圈、泄压盲板、端部带有螺纹的导杆及压缩弹簧,所述法兰盘垂直 ...
【技术保护点】
一种碳化硅单晶炉真空管道上的防爆器,其特征在于,包括法兰盘、O型密封圈、泄压盲板、端部带有螺纹的导杆及压缩弹簧,所述法兰盘垂直安装在所述碳化硅单晶炉真空管道的下端,所述泄压盲板上设置有通孔,所述泄压盲板设置在所述法兰盘的下方;所述导杆上端穿过所述泄压盲板上的通孔与所述法兰盘螺纹连接;所述法兰盘与所述泄压盲板之间通过O型密封圈密封;所述压缩弹簧套设在所述导杆上;所述导杆下端安装在基座上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:赵梅玉,高宇,段聪,邓树军,陶莹,
申请(专利权)人:河北同光晶体有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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