外延碳化硅单晶基板的制造方法技术

本发明专利技术的课题在于提供一种在偏离角度较小的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法。根据本发明专利技术，在偏离角度为4°以下的碳化硅单晶基板上具有表面缺陷等较少的、高品质的碳化硅单晶薄膜的外延碳化硅单晶基板的制造方法中，在进行上述外延生长之前，使含有硅和氯的气体与氢气一同流动，使硅原子相对于氢气中的氢原子的浓度达到0.0001%～0.01%，在1550℃～1650℃的温度下进行0.1μm～1μm的预处理刻蚀，然后形成外延层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及外延碳化硅(SiC)单晶基板的制造方法。
技术介绍
碳化硅(SiC)因耐热性及机械强度优良、物理化学上稳定而作为耐环境性半导体材料引人注目。此外，近年来，作为高频高耐压电子器件等的基板，SiC单晶基板的需求高涨。在采用SiC单晶基板制作电力器件、高频器件等的情况下，通常，一般采用称为热CVD法(热化学 气相沉积法)的方法而在基板上外延生长SiC薄膜，或采用离子注入法直接注入掺杂剂，但在后者的情况下，在注入后需要高温退火，因此多通过外延生长形成薄膜。现在,SiC基板的主流口径为3英寸及4英寸(76mm及100mm),因此也可在这样的基板上进行外延生长，但从降低基底面位错等缺陷密度、而且提闻源于SiC淀的基板收率等观点出发，基板的偏离角度从以往的8°采用大约4°或者在其以下。在具有这样小的偏离角度的基板上进行外延生长时，一般生长时流动的材料气体中的碳原子数与硅原子数之t匕(C/Si比)比以往低。这是为了抑制如下的现象:随着偏离角度减小，表面的台阶数减少，台阶流动生长难以发生，从而台阶聚集(st印bunching)或外延缺陷容易增加。另外，还对不在以往的氢气中而在含有硅和碳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝乡崇，柘植弘志，胜野正和，藤本辰雄，矢代弘克，
申请(专利权)人：新日铁住金株式会社，
类型：
国别省市：